- +8618437960706
- دوشنبه تا شنبه: 10:00 - 16:00 / یکشنبه تعطیل است
انتخاب ترانزیستورهای جلوه ای از میدان می تواند به طور مستقیم بر نرخ و هزینه تولید یک آمپول کامل یکپارچه تأثیر بگذارد. انتخاب ترانزیستور اثر میدانی را می توان از شش روش زیر شروع کرد. 1 ، نوع کانال
به خواندن ادامه دهید
سپس می‌توانیم "ناحیه قطع" یا "حالت خاموش" را هنگام استفاده از ترانزیستور دو قطبی به عنوان سوئیچ تعریف کنیم، هر دو پیوند بایاس معکوس شده‌اند، v b <0.7v و i c = 0. برای یک ترانزیستور pnp، پتانسیل امیتر باید با توجه به بیس منفی ...
به خواندن ادامه دهید
to the physical properties of SiC, the electric field intensity in SiC chips unavoidably tends to increase; in particular, the intensity of the electric field to be applied to the gate oxide at the trench bottom becomes high. Therefore, SiC-MOSFETs require special consideration, unlike Si trench MOSFETs. Figure 3 illustrates the
به خواندن ادامه دهید
The staking sequences of SiC polytypes: 4H-SiC, 6H-SiC, and 3C-SiC [16]. The development of SiC-based devices over the year [38]. The benchmarking plot on specific on-resistance and breakdown ...
به خواندن ادامه دهید
با استفاده از mosfet (ترانزیستورهای اثر میدانی اکسید فلز - نیمه هادی) ، پایه ای برای بیشتر دروازه های منطقی مدرن. خانواده منطق MOS شامل منطق PMOS ، منطق NMOS ، MOS مکمل (CMOS) و BiCMOS (CMOS دو قطبی) است.
به خواندن ادامه دهید
از ترانزیستورها در اندازه‌های کوچک و انواع گسسته، می‌توان برای ساخت سوئیچ‌های الکترونیکی ساده، منطق دیجیتال و مدارهای تقویت‌کننده سیگنال استفاده کرد. هزاران، میلیون‌ها و حتی میلیاردها ترانزیستور در کنار یکدیگر ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستورهای اثر میدان، خود به دو دستهٔ ترانزیستور پیوند اثر میدانی (JFET) و ترانزیستور اثر میدان نیمه‌هادیِ اکسید-فلز (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, MOSFET) که به اختصار به آن ماسفت گفته می‌شود ...
به خواندن ادامه دهید
SiC MOSFETs are similar to Si MOSFETs with respect to the device type. However, SiC is a WBG material with properties that allow these devices ... GE 0 V-15 V (20 V) -10 V-15 V (10 V-20 V) -5 V-20 V (25 V-30V) Typical applications Power supplies – server, telecom, factory automation,
به خواندن ادامه دهید
packaged SiC MOSFET on the market, by benefiting from the dynamic supply chain of SiC. Their exhaustive product catalog of discrete-packaged SiC MOSFETs entails components from 750V to 3300V. In this context, System Plus Consulting presents a technology and cost analysis of two GeneSiC SiC MOSFET devices: G3R75MT12D (3rd generation, 1200V) …
به خواندن ادامه دهید
بازدید: ۱۶۴۵. ترانزیستورهای اثر میدان پیوندی که به اختصار JFET (Junction Field Effect Transistor) نامیده می‌شوند، یک المان نیمه‌رسانای تک قطبی است که دارای سه پایه بوده و با ولتاژ کنترل می‌شود. این نوع ...
به خواندن ادامه دهید
نوع دیگر ترانزیستورهای اثر میدانی MOSFET ها هستند ( ترانزیستور اثر میدانی اکسید فلزی نیمه هادی - Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ) یکی از اساسی ترین مزیت های ماسفت ها نویز کمتر آنها در مدار است ...
به خواندن ادامه دهید
نکته: چون JFET ها از یک ولتاژ برای اعمال به ترمینال (Gate) استفاده می‌کنند و جریان گذرنده از کانال متناسب با این ولتاژ ، کم و زیاد می شود و همچنین عملکرد FET مبتنی بر یک میدان الکتریکی حاصل از ولتاژ Gate است به آن ترانزیستور اثر ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور ها دقیقا چه نوع وسیله ای هستند؟. ترانزیستورها وسایلی هستند که حرکت الکترون ها و در نتیجه الکتریسیته را کنترل می کنند. آنها چیزی شبیه یک شیر آب کار می کنند – نه تنها یک جریان را شروع ...
به خواندن ادامه دهید
2016 GE SiC MOSFETs: (R On @25o C / R On @150o C) 20m: /45m:, 1.7kV 75m: /145m:, 3.3kV COTSSiC . 900V/23A Si CoolMOSTM: Ea < 4J/cm2 GE12N20L SiC MOSFET: Ea >15J/cm2 >8X active area difference Tight distribution of E AV is an indication of excellent design-process robustness 1.2kV, 30A MOSFET Avalanche Ruggedness
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور پیوندی اثر میدان یا جِی‌فِت به گونه‌ای از ترانزیستورهای اثر میدان گفته می‌شود که از یک کانال عبور و یک گیت تشکیل شده‌اند. دو پایهٔ درین و سورس با اتصال اهمی به دو طرف کانال متصل هستند و پایهٔ گیت اتصال ...
به خواندن ادامه دهید
As an alternative to traditional silicon MOSFETs, silicon carbide MOSFETs offer the advantages of higher blocking voltage, lower on-state resistance, and higher thermal conductivity...
به خواندن ادامه دهید
We propose a SiC trench/planar MOSFET (TP-MOS) which features a trench channel and a planar channel in one half-cell. Numerical simulations with Sentaurus …
به خواندن ادامه دهید
GE began developing SiC MOSFETs (metal-oxide semiconductor field-effect transistors) more than a decade ago and achieved the strict standards required by the automotive …
به خواندن ادامه دهید
پاسخ به سوال : ترانزیستور چگونه کار می کند؟ جواب : طرز کار ترانزیستور به اینصورت است، چنانچه پیوند BE را بصورت مستقیم بایاس (Bias به معنی اعمال ولتاژ و تحریک است) کنیم بطوری که این پیوند PN روشن شود (برای اینکار کافی است که به ...
به خواندن ادامه دهید
۳- ترانزیستور اثر میدانی (mosfet) این ترانزیستور نیز مانند jfet عمل می‌کنند با این تفاوت که جریان ورودی گیت آنها صفر است.همچنین رابطه جریان با ولتاژ نیز متفاوت است.
به خواندن ادامه دهید
اصل کار ماسفت. اصلی ترین کار ماسفت این است که بتواند جریان ولتاژ و جریان بین پایانه‌های منبع و تخلیه را کنترل کند. تقریباً مانند یک سوئیچ کار میکند و عملکرد دستگاه بر اساس خازن MOS است. خازن MOS ...
به خواندن ادامه دهید
to the physical properties of SiC, the electric field intensity in SiC chips unavoidably tends to increase; in particular, the intensity of the electric field to be applied to the gate oxide at …
به خواندن ادامه دهید
Advanced Gate Drive Options for Silicon-Carbide (SiC) MOSFETs using EiceDRIVER™ SiC MOSFET gate-drive requirements and options 2 SiC MOSFET gate-drive requirements and options This section derives necessary and optional requirements out of the SiC MOSFET general properties to drive the gates of SiC MOSFET properly. 2.1 …
به خواندن ادامه دهید
نام پایه های ترانزیستور را می‌توان با استفاده از همین شکل ظاهری تشخیص داد. نام پایه های ترانزیستور را می‌توان با نگاه کردن به جهتی که پیکان به سمت آن نشان می‌دهد، به راحتی تشخیص داد.
به خواندن ادامه دهید
شکل و مواد به‌کاررفته در ساختار ترانزیستورها با گذر زمان تغییر کرده است؛ اما ترانزیستورهای اثر میدانی نیمه‌رسانای اکسید فلز (mosfet) که در ریزپردازنده‌ها استفاده می‌شوند، از زمان اختراع در ...
به خواندن ادامه دهید
In this paper, the performance variations of SiC MOSFET-based voltage and current source inverters under gate oxide degradation are studied. It is confirmed that the …
به خواندن ادامه دهید
بخشی از مقاله. ترانزیستور. ترانزیستورهای جدید به دو دسته کلی تقسیم می شوند: ترانزیستورهای اتصال دوقطبی (BJTs) و ترانزیستورهای اثر میدانی (FETs). اعمال جریان در BJTها و ولتاژ در FETها بیین ورودی ...
به خواندن ادامه دهید
ماسفت چیست و چگونه کار میکند ؟ یکی از متداول ترین انواع ترانزیستور FET گیت عایق بندی ایزوله که در بسیاری از مدارهای الکترونیکی مورد استفاده قرار می‌گیرد، ترانزیستور اثر میدانی نیمه هادی اکسید فلز (Metal Oxide Semiconductor Field Effect ...
به خواندن ادامه دهید
A general review of the critical processing steps for manufacturing SiC MOSFETs, types of SiC MOSFETs, and power applications based on SiC power …
به خواندن ادامه دهید
پرکاربرد ترین ترانزیستور اثر میدان با گیت ایزوله شده، ترانزیستور اکسیدفلز نیمه رسانای اثر میدان یا MOSFET می‌باشد . IGFET یا MOSFET توسط ولتاژ کنترل می‌شوند و بر خلاف ترانزیستورهای JFET دارای الکترود ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستورهای اثر میدان نوع دیگری از ترانزیستور ها هستند که عموماً به ماسفِت -MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor) شناخته می شوند که از پین (pin)، گیت (gate)، سورس (source) و درین (drain) ساخته شده اند.
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور [۱] (به انگلیسی: transistor) مهم‌ترین قطعهٔ مداری در الکترونیک است و برای تقویت یا قطع وصل سیگنال ها به عنوان سوئیچ به کار می‌رود. ترانزیستور یکی از ادوات حالت جامد است که از مواد نیمه ...
به خواندن ادامه دهید