- +8618437960706
- دوشنبه تا شنبه: 10:00 - 16:00 / یکشنبه تعطیل است
در این مقاله از زومیت با پردازنده و سازوکار آن بیشتر آشنا می‌شویم. تبلیغات. واحد پردازش مرکزی (CPU) عنصری حیاتی در هر کامپیوتر محسوب میشود و تمامی محاسبات و دستوراتی را که به سایر اجزای ...
به خواندن ادامه دهید
دیود نورافشان (LED) این دیود از یک نیمههادی باند مستقیم ساخته میشود و انرژی الکتریکی را به انرژی نورانی تبدیل میکند. هنگامی که حامل‌‌های بار ( الکترون‌‌ها) از سد عبور میکنند و با ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور پیوندی اثر میدان یا جِی‌فِت به گونه‌ای از ترانزیستورهای اثر میدان گفته میشود که از یک کانال عبور و یک گیت تشکیل شده‌اند. دو پایهٔ درین و سورس با اتصال اهمی به دو طرف کانال متصل هستند و پایهٔ گیت اتصال ...
به خواندن ادامه دهید
1# نیمه هادی چیست؟ (semiconductor) نیمه هادی در واقع یک ماده است که بیشتر از یک عایق (مانند شیشه) اما کم تر از یک هادی خالص (مانند مس یا آلومینیوم) برق را انتقال می دهد و. معمولا از سیلیکون تشکیل شده است ...
به خواندن ادامه دهید
1# دیود چیست؟. (Diode) دیود یکی از انواع قطعات نیمه هادی دو پایه است که در مدارهای الکترونیکی بسیاری استفاده می شود و. جریان الکتریکی را در یک جهت هدایت کرده و در جهت مخالف آن مانع عبور جریان از ...
به خواندن ادامه دهید
190 mm. net weight. 11.65 kg. - Tên sản phầm : Biến tần ATV212 - Mã sản phẩm: ATV212HD15N4 - Thông số cơ bản: Công suất 15kW (20Hp), 3P 480VAC, tích hợp bộ …
به خواندن ادامه دهید
ماسفت چیست و چگونه کار میکند ؟. یکی از متداول ترین انواع ترانزیستور FET گیت عایق بندی ایزوله که در بسیاری از مدارهای الکترونیکی مورد استفاده قرار می‌گیرد، ترانزیستور اثر میدانی نیمه هادی ...
به خواندن ادامه دهید
NTBG014N120M3P/D Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 14mohm, 1200V, M3P, D2PAK-7L NTBG014N120M3P Features • Typ. RDS(on) = 14 m • Low Switching Losses …
به خواندن ادامه دهید
نمودار I-V خصوصیات و طرح‌های خروجی از JFETنوع n. ترانزیستور پیوندی اثر میدان یا جِی‌فِت (به انگلیسی: junction gate field-effect transistor یا JUGFET یا JFET) به گونه‌ای از ترانزیستورهای اثر میدان گفته میشود که از یک ...
به خواندن ادامه دهید
NTBG014N120M3P. Description. SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE. Manufacturer Standard Lead Time. 29 Weeks. Detailed Description. N-Channel 1200 V 104A (Tc) …
به خواندن ادامه دهید
آی جی بی تی igbt دستگاه نیمه هادی و یک ترانزیستور دو قطبی با دروازه عایق شده است. ... منبع تغذیه بدون وقفه و موارد دیگر استفاده میشود. این دستگاه برای افزایش کارایی و کاهش سطح صدای دستگاه‌های ...
به خواندن ادامه دهید
هنگامی که جریان پایه (Base current) به ترانزیستور PNP اعمال میشود، این جریان باعث ایجاد جریان کلکتور (Collector current) میشود و در نتیجه از امپلیفایر استفاده میشود.در ترانزیستورهای NPN، لایه‌های نیمه ...
به خواندن ادامه دهید
معمولاً برای تولید ترانزیستورهای فلزی-اکسیدی-نیمه هادی با اثر میدان (mosfets) و تراشه های مدار مجتمع سیلیکون استفاده می شود. خطرات و عوارض جانبی سیلیس. سیلیکا به صورت خوراکی در صورت بلع غیر سمی است.
به خواندن ادامه دهید
مقاومت ثابت چیست؟. مقاومت‌های الکتریکی به دو دسته کلی ثابت ( Fixed Resistors) و متغیر ( Variable Resistors) تقسیم بندی می‌شوند. مقاومت های ثابت تنها دارای یک مقدار مقاومت واحد هستند، برای مثال 100Ω اما مقاومت ...
به خواندن ادامه دهید
در صنعت، بیشتر از ترانزیستورهای نوع npn استفاده میشود. تشخیص نام پایه های ترانزیستور BJT هر ترانزیستور سه پایه یا پین دارد: امیتر (E)، بیس (B) و کلکتور (C).
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور یک وسیله نیمه هادی است که معمولاً در تقویت کننده ها یا کلیدهای کنترل الکترونیکی استفاده می شود. این قطعه اساسی، همانند بلوک ساختمان است که عملکرد رایانه ها، تلفن های همراه و سایر ...
به خواندن ادامه دهید
اگر به این تکه نیمه هادی از خارج ولتاژی بصورت آنچه در شکل نمایش داده می شود اعمال کنیم در مدار جریانی برقرار می شود و چنانچه جهت ولتاژ اعمال شده را تغییر دهیم جریانی از مدار عبور نخواهد کرد.
به خواندن ادامه دهید
onsemi NTBG014N120M3P Silicon Carbide (SiC) MOSFET is part of the 1200V M3P planar SiC MOSFETs family. The onsemi MOSFETs are optimised for power applications. …
به خواندن ادامه دهید
نکته: چون JFET ها از یک ولتاژ برای اعمال به ترمینال (Gate) استفاده میکنند و جریان گذرنده از کانال متناسب با این ولتاژ ، کم و زیاد می شود و همچنین عملکرد FET مبتنی بر یک میدان الکتریکی حاصل از ولتاژ Gate است به آن ترانزیستور اثر ...
به خواندن ادامه دهید
igfet که با نام mosfet یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه رسانای اکسید-فلز یا به اختصار ترانزیستور ماسفت نیز شناخته می شود، نوع دیگری از ترانزیستور اثر میدانی (fet) است که ورودی یا گیت آنها از نظر الکتریکی نسبت به کانالی که جریان را ...
به خواندن ادامه دهید
سریع‌ترین ترانزیستور جهان. سریع‌ترین ترانزیستور جهان توسط دكتر " فرشید رییسی " عضو هیات علمی دانشكده مهندسی برق دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی طراحی و ساخته شد.در طراحی این ترانزیستور ...
به خواندن ادامه دهید
بر پایه‌ی این قانون، تعداد ترانزیستورهای نیمههادی در یک مدار در هر دو سال، دو برابر می شود. فناوری نسل کنونی از فناوری مقیاس ۱۴ نانومتری، با نیمه‌هادی‌های ۱۰ نانومتری استفاده میکند.
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستورهای اثر میدانی نیمه هادی فلز اکسید ، که به آن حافظه نیمه هادی mos نیز می گویند ، در سال 1959 اختراع شد. این امکان استفاده از ترانزیستورهای MOS را به عنوان عناصر ذخیره سلول حافظه فراهم می ...
به خواندن ادامه دهید
بدون شک ساخت ترانزیستورهای FinFET موفقیت بزرگی بود. درحالی‌که بیش از یک دهه از زمان معرفی FinFET سپری شده است، اولین ترانزیستوری که در سال ۲۰۱۱ اینتل، سامسونگ، TSMC و سایر شرکت‌ها در قالب لیتوگرافی ۲۲ نانومتری از آن استفاده ...
به خواندن ادامه دهید
onsemi NTBG014N120M3P Silicon Carbide (SiC) MOSFET is part of the 1200V M3P planar SiC MOSFETs family. The onsemi MOSFETs are optimized for …
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور دارای سه لایه‌است که ساختار آن شامل یکی از حالت های زیراست: 1) یک لایه نیمه هادی نوعn بین دو لایه نوعp در پیکربندی مثبت – منفی – مثبت (PNP)،. 2) یک لایه نوعp بین دو لایه نوعn در ...
به خواندن ادامه دهید
در این مدل از دیودها از فلز طلا یا پلاتینیوم برای ماده دوپینگ در نیمه هادی استفاده می شود که سرعت سوییچ کردن و هزینه تولید آن را بسیار بالا می برد. همچنین نشتی ولتاژ معکوس این دیود بالاتر از ...
به خواندن ادامه دهید
با استفاده از mosfet (ترانزیستورهای اثر میدانی اکسید فلز - نیمه هادی) ، پایه ای برای بیشتر دروازه های منطقی مدرن. خانواده منطق MOS شامل منطق PMOS ، منطق NMOS ، MOS مکمل (CMOS) و BiCMOS (CMOS دو قطبی) است.
به خواندن ادامه دهید
در این آموزش با ترانزیستورهای اثر میدان پیوندی یا ترانزیستور jfet آشنا می‌شویم. در آموزش مربوط به ترانزیستور پیوندی دوقطبی دیدیم که جریان خروجی کلکتور، متناسب با جریان ورودی گذرنده از بیس است که سبب میشود ترانزیستور ...
به خواندن ادامه دهید
در جلسه‌ی پرسش‌و‌پاسخی که پس از سخنرانی برگزار شد، میبری ادعا کرد تولید انبوه ترانزیستورهای نانوسیم (Nanowire) را تا پنج سال آینده ممکن می‌دادند. پیش‌بینی او به‌نوعی هدفی ملموس برای اینتل و ...
به خواندن ادامه دهید
استفاده از رادیوگرافی پروجکشنال ، با یک ژنراتور اشعه ایکس و یک آشکارساز تصویربرداری.. آشکارسازهای اشعه ایکس دستگاه‌هایی هستند که برای اندازه گیری شار، توزیع فضایی، طیف و/یا سایر خواص اشعه ایکس استفاده می‌شوند.
به خواندن ادامه دهید
اغلب از نمادهای اضافه و منفی برای نشان دادن غلظت نسبی دوپینگ در نیمه هادی ها استفاده می شود. به عنوان مثال، n+ نشان دهنده یک نیمه هادی نوع n با غلظت دوپینگ بالا، اغلب منحط شده است.
به خواندن ادامه دهید
BJT یکی از رایج‌ترین انواع ترانزیستور است و می‌تواند NPN یا PNP باشد. درواقع یک ترانزیستور BJT از سه پایانه تشکیل شده است: امیتر، بیس و کلکتور. یک BJT می‌تواند یک سیگنال الکتریکی را تقویت کند یا ...
به خواندن ادامه دهید