- +8618437960706
- دوشنبه تا شنبه: 10:00 - 16:00 / یکشنبه تعطیل است
FOR IMMEDIATE RELEASE No. 3307. TOKYO, September 30, 2019 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) announced today that it has developed a trench-type *1 silicon-carbide (SiC) metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) with a unique electric-field-limiting structure for a power semiconductor …
به خواندن ادامه دهید
FOR IMMEDIATE RELEASE No. 3361. TOKYO, June 16, 2020 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) announced today the launch of its N-series 1200V SiC-MOSFET (silicon-carbide metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) featuring low power loss and high tolerance 1 to self-turn-on. The new series will help to reduce the …
به خواندن ادامه دهید
Realized high performance and low power loss by 2nd. generation SiC-MOSFET and SiC-SBD with current sense and temperature sense; External size is reduced approx.30% with the conventional Silicon IPM products * of the same rating. Available to drive it by the equivalent I/F and power supply circuit with the Silicon IPM products. *
به خواندن ادامه دهید
همچنین به دلیل خصوصیات فلز مس، آن به یکی از ایمن‌ترین فلزات برای استفاده در سیم‌ها و ابزارآلات انتقال برق تبدیل شده است. از بزرگ‌ترین مصرف‌کنندگان مس در بین صنایع دیگر صنعت برق است.
به خواندن ادامه دهید
MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) has a proven record of providing low current and low withstanding voltage in power devices that require high …
به خواندن ادامه دهید
صرف نظر از روتور استفاده شده قواعد کلی برای دوران یکی است. روتور نیز همانند استاتور از دو قسمت هسته و سیم پیچ تشکیل شده‌است که سیم پیچ‌های اطراف روتور می‌تواند از جنس مس یا آلومینیوم باشد.
به خواندن ادامه دهید
فایبرگلاس یا فیبرشیشه (به انگلیسی: Fiberglass) کامپوزیتی از الیاف شیشه با مواد پلیمری است که از پشم شیشه به عنوان مادهٔ تقویت کننده و از مواد پلیمری به عنوان مواد زمینه استفاده می‌شود.. در ساخت مخازن بکار می‌رود.
به خواندن ادامه دهید
اندازه بازار جهانی فلز سیلیسیم در سال ۲۰۱۹ معادل ۶٫۰۵ میلیارد دلار تخمین زده شده و انتظار می‌رود با نرخ رشد مرکب سالانه ۴٫۶٪ از سال ۲۰۲۰ تا ۲۰۲۷ گسترش یابد و به ۸٫۶۷ میلیارد دلار برسد.
به خواندن ادامه دهید
Fig. 1 Newly developed chip structure (Top: Chip section; Bottom: Parallel-connected chips) TOKYO, June 1, 2023 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: …
به خواندن ادامه دهید
Mitsubishi Electric has developed the first 6.5-kV Full SiC power module (all semiconductor devices are SiC devices) with the new highly insulated standardized package with 100 mm x 140 mm footprint, called HV100. We optimized the internal structure of the HV100 using an electromagnetic simulation and a circuit simulation, and verified stable …
به خواندن ادامه دهید
گودال معدن مس Chino در ایالت نیومکزیکو. نمونه کالکوپیریت از معدن Huaron در پرو. استخراج مس به روش‌هایی گفته می‌شود که برای به‌دست آوردن مس از سنگ معدن به‌کار برده می‌شود.استخراج مرحله ای مقدم بر مراحل پردازش مواد است که در ...
به خواندن ادامه دهید
Back in September 2017, we published an overview in Bodo's Power about the history and status of our SiC-power modules covering a wide range of commercially available SiC-modules from …
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور ماسفت یا MOSFET (مخفف عبارت Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor، به معنای ترانزیستور اثر میدانیِ نیمه رسانای اکسید فلز) دستگاهی نیمه هادی است که به صورت گسترده برای اهداف سوئیچینگ و تقویت سیگنال های الکترونیکی در برد ...
به خواندن ادامه دهید
شیمی طرح‌نگاری نوری. یک سلول خورشیدی پراکنده شده از طلا و آلومینیوم که از ویفر سیلیکونی <100> نوع p. فوتولیتوگرافی فرآیندی است در حذف بخش های انتخابی از لایه های نازک مورد استفاده در میکروساخت ...
به خواندن ادامه دهید
چگونگی پردازش فلز پالایش سنگ معدن از مواد معدنی پروژه ها hb engineers استخراج مس از سنگ معدن صفحه ...
به خواندن ادامه دهید
ماسفت MOSFET چیست؟. ماسفت یک دستگاه کنترل ولتاژ بالا است که برخی از ویژگی‌های اصلی را برای طراحان مدار از نظر عملکرد کلی آنها، فراهم میکند. ماسفت هسته‌ای از مدار یکپارچه است و به دلیل همین ...
به خواندن ادامه دهید
چکیدهدر این مقاله از FG-MOSFET که در مجاورت گیت آن واکنش شیمیایی بین گاز و اکسید فلز رخ می دهد بعنوان سنسور گاز استفاده می شود. هرچه غلظت مولکولهای گاز در مجاورت گیت ترانزیستور ماسفت بیشتر باشند، الکترونهای بیشتری در سطح ...
به خواندن ادامه دهید
فلزیاب آی سی98 یک دستگاه فلزیاب قدرتمند و حرفه ای می باشد که توسط بهترین و با کیفیت ترین قطعات الکترونیکی تولید شده است. از ویژگی های اصلی این دستگاه فلزیاب می توان به عمق کاوش بالا، قابلیت حذف ...
به خواندن ادامه دهید
14 rowsSiC-MOSFET; SiC-SBD; SiC Power Modules; SOPIPM(Surface-mount package IPM) DIPIPM; IPMs(Intelligent Power Modules) IGBT Modules; HVIGBT Modules; …
به خواندن ادامه دهید
TOKYO, September 30, 2019 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) announced today that it has developed a trench-type *1 silicon-carbide (SiC) metal …
به خواندن ادامه دهید
Owing to the superior properties of silicon carbide (SiC), such as higher breakdown voltage, higher thermal conductivity, higher operating frequency, higher operating temperature, and higher saturation drift velocity, SiC has attracted much attention from researchers and the industry for decades. With the advances in material science …
به خواندن ادامه دهید
KAWASAKI--Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba") has developed silicon carbide (SiC) MOSFETs [1] with low on-resistance and significantly reduced switching loss—about 20% lower than in its second-generation SiC MOSFETs.. Power devices are essential components for managing and reducing power consumption …
به خواندن ادامه دهید
In case the free-wheeling diode is made of SiC, like in the Hybrid SiC module, this current peak almost disappears (cf. Fig. 2 (b)). This results in a reduction of turn-on energy E on by 38%. Using a Full SiC MOSFET and utilizing steeper voltage transients further reduces the turn-on energy by additional 32%. Moreover, the reverse recovery ...
به خواندن ادامه دهید
We have been developing second-generation planar metal-oxide-semiconductor field effect transistors (MOSFETs) using our newly constructed 6-inch SiC wafer line. For these …
به خواندن ادامه دهید
TOKYO, November 5, 2020 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) announced today the coming launch of a new series of silicon-carbide metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs), the N-series of 1200V SiC-MOSFETs in a TO-247-4 package, 1 which achieves 30% less switching loss compared to the existing …
به خواندن ادامه دهید
のSiCパワーデバイスのと. は、1990めにであるSiCにいちくし、をしたさまざまなをなってきました。. そして2010にはSiCパワーモジュールをしたエアコンをでめてし ...
به خواندن ادامه دهید
الکترو وینینگ. استفاده از فناوری پالایش الکتریکی برای تبدیل سوخت اتمی به فلز. الکترو-وینینگ، که به آن استخراج الکتریکی نیز گفته می‌شود، عبارتست از عملیات رسوب الکتریکی فلزات از سنگ معدن آن ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور اثرِ میدانیِ نیم‌رسانا اکسید-فلز (به انگلیسی: metal–oxide semiconductor field effect transistor) یا ماسفِت ( اختصاری MOSFET) معروف‌ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای الکترونیک آنالوگ و دیجیتال است ...
به خواندن ادامه دهید
ماسفت چیست و چگونه کار میکند ؟ یکی از متداول ترین انواع ترانزیستور FET گیت عایق بندی ایزوله که در بسیاری از مدارهای الکترونیکی مورد استفاده قرار می‌گیرد، ترانزیستور اثر میدانی نیمه هادی اکسید فلز (Metal Oxide Semiconductor Field Effect ...
به خواندن ادامه دهید
Power MOSFET Modules Outline MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) has a proven record of providing low current and low withstanding voltage in power devices that require high-speed switching, voltage driving and low loss.
به خواندن ادامه دهید
A taxi to Shaolin Temple from Zhengzhou city center takes about 2 hours and over ￥250.0. As an alternative choice, you can transfer to Zhengzhou Long …
به خواندن ادامه دهید