- +8618437960706
- دوشنبه تا شنبه: 10:00 - 16:00 / یکشنبه تعطیل است
نمودار I-V خصوصیات و طرح‌های خروجی از JFETنوع n. ترانزیستور پیوندی اثر میدان یا جِی‌فِت (به انگلیسی: junction gate field-effect transistor یا JUGFET یا JFET) به گونه‌ای از ترانزیستورهای اثر میدان گفته می‌شود که از یک ...
به خواندن ادامه دهید
Based on volume experience and compatibility know-how, Infineon introduces the revolutionary CoolSiC™ MOSFET technology which enables radically new product designs. In comparison to traditional Silicon-based switches like IGBTs and MOSFETs, the Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET offers a series of advantages. CoolSiC™ MOSFET …
به خواندن ادامه دهید
A taxi to Shaolin Temple from Zhengzhou city center takes about 2 hours and over ￥250.0. As an alternative choice, you can transfer to Zhengzhou Long …
به خواندن ادامه دهید
Wolfspeed's family of 1200 V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are optimized for use in high power applications such as UPS; motor control and drives; switched-mode power supplies; solar and energy storage systems; …
به خواندن ادامه دهید
۱- هادی یا رسانا (ماده ای که به راحتی جریان الکتریکی را از خود عبور می دهد) ۲-عایق یا نارسانا ( موادی که قابلیت انتقال جریان الکتریکی را ندارند) ۳-نیمه رسانا با نیمه هادی ( موادی که در شرایط خاص می ...
به خواندن ادامه دهید
The available SiC MOSFET is the 1200V/ 17A (@125 °C) CREE SiC MOSFET (CMF20120D). Fig.3 shows that the output characteristics of SiC MOSFET which is …
به خواندن ادامه دهید
یک TFT اکسیدی از یک ترانزیستور اثر میدان اکسید فلزی (MOSFET) متمایز است که در آن کلمه "اکسید" به دی الکتریک دروازه عایق (معمولا دی اکسید سیلیکون) اشاره دارد. در TFT اکسید، کلمه اکسید به نیمه هادی اشاره ...
به خواندن ادامه دهید
مقایسه BJT با FET. کدام ترانزیستور را باید انتخاب کنید؟. کاربرد ترانزیستور ها. کاربرد ترانزیستور به عنوان سوییچ. کاربرد ترانزیستور به عنوان آمپلی فایر. ترانزیستور را می توان نیمه‌هادی تعریف کرد ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور چیست؟ ترانزیستورها قطعات اکتیو سه‌سری هستند که از مواد نیمه‌هادی مختلف ساخته شده‌اند و می‌توانند در کاربردهای ولتاژ سیگنال کوچک به عنوان یک عایق یا یک رسانا عمل کنند. توانایی ترانزیستور در تغییر بین این ...
به خواندن ادامه دهید
برای درک نحوه کار ترانزیستورهای mosfet، به یک نمودار مدار معمولی به شرح زیر نگاه می کنیم: یک بلوک که به عنوان سابستریت نیمه رسانای نوع p نیز شناخته می شود به عنوان پایه یا بدنه ماسفت عمل می کند.
به خواندن ادامه دهید
functions in a gate driver for SiC MOSFET is not trivial. The two main differences that concern the asymmetric voltage levels for the control of the SiC MOSFETs include: + 20 V for turn-on and −5 V for turn-off, and the maximum time to block the SiC MOSFET when a fault has been detected (<1 μs). These different points will
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستورهای اثر میدانی به ترانزیستورهای اثر میدان اتصالی (jfet) و ترانزیستورهای اثر میدانی گیت عایق (ig-fet) یا ترانزیستورهای اثر میدانی نیمه هادی اکسید فلزی (mosfet) طبقه‌بندی می‌شوند.
به خواندن ادامه دهید
CreeC2M0080120DZ-FETNMOSFET, TO-247. MOSFETC2M SiC MOSFET,,,,,,,,, ., ...
به خواندن ادامه دهید
Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 20mohm, 1200V, M1, D2PAK-7L NTBG020N120SC1 Features • Typ. RDS(on) = 20 m • Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = …
به خواندن ادامه دهید
1 C3M0075120D Rev. 3, 01-2021 C3M0075120D Silicon Carbide Power MOSFET C3M TM MOSFET Technology N-Channel Enhancement Mode Features • C3MTM SiC MOSFET technology • High blocking voltage with low On-resistance • High speed switching with low capacitances • Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr) • Halogen free, RoHS …
به خواندن ادامه دهید
استفاده از رادیوگرافی پروجکشنال ، با یک ژنراتور اشعه ایکس و یک آشکارساز تصویربرداری.. آشکارسازهای اشعه ایکس دستگاه‌هایی هستند که برای اندازه گیری شار، توزیع فضایی، طیف و/یا سایر خواص اشعه ایکس استفاده می‌شوند.
به خواندن ادامه دهید
در آموزش‌های پیشین مجله فرادرس، با مواد رسانا و نارسانا آشنا شدیم. نیمه هادی ها موادی هستند که رسانایی آنها چیزی بین رسانایی هادی‌ها (اغلب فلزات) و غیرهادی‌ها یا عایق‌ها (مانند سرامیک‌ها) است.
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستورهای بیپولار و ترانزیستورهای فلز-نیمه‌هادی شامل سه لایه نیمه‌رسانای نوع n و p هستند، در حالی که ترانزیستورهای فلز-اکسید-نیمه‌هادی (mosfet) دارای لایه اکسیدی هستند که بین دروازه و ...
به خواندن ادامه دهید
سیلیکون پلی‌کریستالی (یا سیلیکون نیمه کریستالی ، پلی‌سیلیکون ، poly-Si یا به طور ساده شده "poly") ماده‌ای است که از چندین کریستال سیلیکون کوچک تشکیل شده‌است. سلول‌های پلی‌کریستالی را می‌توان ...
به خواندن ادامه دهید
Wolfspeed Silicon Carbide (SiC) MOSFETs enable higher switching frequencies and reduce the size of components like inductors, capacitors, filters & transformers. Our …
به خواندن ادامه دهید
به تکنولوژی‌هایی که از دو نوع ترانزیستورهای دوقطبی و Mosfet در آن واحد استفاده می‌کنند Bicmos می‌گویند. البته نقطه کار این ترانزیستورها نسبت به دما حساس است وتغییر می‌کند.
به خواندن ادامه دهید
Apr 01, 2020 at 10:00am ET. By: Mark Kane. Cree, one of the market leaders in silicon carbide (SiC) power electronics, introduced new Wolfspeed 650V SiC MOSFETs, which are envisioned for ...
به خواندن ادامه دهید
ماسفت. ماسفت شامل پایانه‌های گیت (G)، درین (D)، سورس (S) و بدنه (B). بدنه (B) اغلب به سورس وصل می‌شود؛ بنابراین ماسفت در عمل، سه‌پایه دارد. لایهٔ اکسیدِ سیلیسیوم به رنگ روشن در زیر گیت دیده می‌شود ...
به خواندن ادامه دهید
FWD = Internal Body Diode of MOSFET Fig. 25 E OFF Turn Off Switching Energy (Body Diode) 214 E ON Turn-On Switching Energy (External Diode) 392 μJ V DS = 400 V, V GS = -4 V/15 V, I D = 33.5 A, R G(ext) J = 175ºC FWD = External SiC DIODE Fig. 25 E OFF Turn Off Switching Energy (External Diode) 238 t d(on) Turn-On Delay Time 14 ns V DD = …
به خواندن ادامه دهید
آنها از میدان الکتریکی برای کنترل هدایت الکتریکی یک کانال استفاده می کنند. fet به jfet (ترانزیستور جلوه ای اثر میدان) و mosfet (ترانزیستور تأثیر میدان نیمه هادی فلز اکسید فلزی) طبقه بندی می شود.
به خواندن ادامه دهید
The available SiC MOSFET is the 1200V/ 17A (@125 °C) CREE SiC MOSFET (CMF20120D). Fig.3 shows that the output characteristics of SiC MOSFET which is temperature dependent. It can be seen that the ...
به خواندن ادامه دهید
• SiC MOSFETs Have Built-In Body Diode That Can Be Exploited In Applications Requiring Antiparallel Conduction • Third Quadrant IV Characteristics are Parallel Combination of SiC MOSFET and PN diode • Applying Positive Gate Bias Turns the SiC MOSFET Fully On • Conduction is Symmetric for Positive and Negative VDS – …
به خواندن ادامه دهید
Wolfspeed offers a family of 1200 V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs that are optimized for use in high power applications such as Uninterruptible Power Supplies (UPS); motor drives; switched-mode power supplies; …
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور [۱] (به انگلیسی: transistor) مهم‌ترین قطعهٔ مداری در الکترونیک است و برای تقویت یا قطع وصل سیگنال ها به عنوان سوئیچ به کار می‌رود. ترانزیستور یکی از ادوات حالت جامد است که از مواد نیمه ...
به خواندن ادامه دهید
1# نیمه هادی چیست؟ (semiconductor) نیمه هادی در واقع یک ماده است که بیشتر از یک عایق (مانند شیشه) اما کم تر از یک هادی خالص (مانند مس یا آلومینیوم) برق را انتقال می دهد و. معمولا از سیلیکون تشکیل شده است ...
به خواندن ادامه دهید
