- +8618437960706
- دوشنبه تا شنبه: 10:00 - 16:00 / یکشنبه تعطیل است
The first power SiC MOSFET developed (Cree) SiC Schottky diodes were first reported in China 1987 1991 n In 1987, 6H-SiC single crystal was successfully grown, and SiC …
به خواندن ادامه دهید
این نکته را در نظر داشته باشید که عایق حرارتی قادر نیست انتقال حرارت را به صورت کامل، صفر کند. بلکه فقط آن را کاهش می‌دهد. هرچه ضخامت عایق بیشتر باشد، نرخ انتقال حرارت نیز کُندتر می‌شود ولی در ...
به خواندن ادامه دهید
عایق‌های حرارتی صنعتی که به آنها عایق نسوز نیز می‌گویند، انواع مختلفی دارند. استفاده از این نوع عایق‌های صوتی و عایق نسوز، می‌تواند تا ۶۰ درصد از هزینه‌های اتلاف انرژی را صرفه‌جویی کند ...
به خواندن ادامه دهید
مزایای کاربرد عایق حرارتی الاستومری. ۱-عایق حرارتی الاستومری از جمله محصولات دوستدار محیط زیست محسوب می شود و عاری از هرگونه مواد سرطان زا و یا حساسیت زا می باشد. ۲- احتمال نفوذ ریزگرد و ...
به خواندن ادامه دهید
Silicon carbide (SiC) metal oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs) have many advantages compared to silicon (Si) MOSFETs: low drain-source resistance, high thermal conductivity, low leakage current, and high switching frequency. As a result, Si MOSFETs are replaced with SiC MOSFETs in many industrial applications. …
به خواندن ادامه دهید
• SiC MOSFETs Have Built-In Body Diode That Can Be Exploited In Applications Requiring Antiparallel Conduction • Third Quadrant IV Characteristics are Parallel Combination of SiC MOSFET and PN diode • Applying Positive Gate Bias Turns the SiC MOSFET Fully On • Conduction is Symmetric for Positive and Negative VDS – …
به خواندن ادامه دهید
Cree, one of the market leaders in silicon carbide (SiC) power electronics, introduced new Wolfspeed 650V SiC MOSFETs, which are envisioned for applications where efficiency …
به خواندن ادامه دهید
عایق های صوتی رولی STI FELX: عایق های صوت STI بصورت رول و با ضخامت های 10،13،16،20،25 میلیمتر و عرض یک متر و بصورت پشت چسبدار و ساده و دارای کلاس حریق C و قابلیت رنگ پذیری می توان بر روی دیوار های جداکننده ...
به خواندن ادامه دهید
16 16 18 20 8.1 mm • Very Small Difference in On-Resistance (RDS,on) at 150 C • Enhanced Short Circuit 10 kV SiC MOSFET has Higher Threshold Voltage Measured I-V …
به خواندن ادامه دهید
ABSTRACT Due to the wide bandgap and other key materials properties of 4H-SiC, SiC MOSFETs offer performance advantages over competing Si-based power devices. For …
به خواندن ادامه دهید
This paper reviews the advantages and the current status of commercially available SiC power MOSFETs, followed by an analysis of future trends and the potential for future …
به خواندن ادامه دهید
سیستم کنترل حرارتی غیرفعال ( PTCS) عبارت است از: عایق چند لایه (MLI) که از فضاپیما در برابر گرمای بیش از حد خورشیدی یا سیاره‌ای و همچنین از خنک شدن بیش از حد در هنگام قرار گرفتن در اعماق فضا محافظت ...
به خواندن ادامه دهید
عایق پشم شیشه، نوعی الیاف شیشه‌ای است که از تولید شیشه باطله یا از همان مواد شیشه (شن، سودا، بوراکس، سنگ آهک) ساخته می‌شود. این عایق، راه موثری برای محافظت از ساختمان در برابر باد و کاهش هزینه ...
به خواندن ادامه دهید
1# هیت سینک چیست؟. Heat sink یک نوع مبدل حرارتی است که حرارت تولیدی در تجهیزات الکترونیکی و مکانیکی را منتقل می کند و. با پراکنده کردن حرارت، دما را در وسیله مورد نظر کنترل می کند. هیت سینک ها برای ...
به خواندن ادامه دهید
SiC MOSFETs have much lower switching loss than IGBTs, which enables higher switching frequency, smaller passives, smaller and less expensive cooling system. Compared to 600V-900V silicon MOSFETs, SiC MOSFETs have smaller chip area (mountable on a compact package) and an ultralow recovery loss .
به خواندن ادامه دهید
پشم سنگ. پشم سنگ نوعی عایق حرارتی است که می تواند دما را تا 1200 درجه سانتی گراد تحمل کند. این عایق از سنگ بازالت که نوعی سنگ آتش فشانی است تهیه می شود. پشم سنگ به عنوان عایق آتش، نقش مهمی در پیشگیری از توسعه حریق دارد و ...
به خواندن ادامه دهید
از آجرهای عایق، که دارای تخلخل زیادی هستند، معمولاً پشت آسترهای نسوز استفاده می‌شود تا خاصیت عایق کاری حرارتی افزایش پیدا کند. دیرگدازهای فله ای یا یکپارچه (ساختار مداوم) که برای ساخت آنها ...
به خواندن ادامه دهید
maximize the benefits of SiC (silicon carbide) modules. Cree's CAS100H12AM1 1.2kV, 100A 50mm half-bridge module and Cree's CCS050M12CM2 1.2kV, 50A six-pack …
به خواندن ادامه دهید
عایق حرارتی مدل های گوناگونی دارد و نسبت به سایر عایق ها پر کاربرد تر بوده از هدر رفتن انرژی های مصرفی (چه سرما و چه گرما) نیز جلو گیری می کند. عایق حرارتی گزینه ای عالی برای جلوگیری از هدر رفتن ...
به خواندن ادامه دهید
MOSFET delivers the least amount of power at 2 kW. However, the peak efficiency observed is only about 0.25% lower than the SiC MOSFET. Unfortunately, due to high conduction losses, the efficiency drops rapidly as current is increased. Comparison at 100 kHz The tests at 100 kHz compared only the SiC MOSFET and the Si MOSFET. The
به خواندن ادامه دهید
1 C3M0025065D Rev 1 12-2020 C3M0025065D Silicon Carbide Power MOSFET C3M TM MOSFET Technology N-Channel Enhancement Mode Features • 3rd Generation SiC MOSFET technology • High blocking voltage with low on-resistance • High speed switching with low capacitances • Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr) • Halogen …
به خواندن ادامه دهید
عایق ها به چهار دسته کلی تقسیم می شوند که آن 4 دسته را می توان به شکل زیر معرفی کرد: عایق صوتی: باعث جذب یا دفع صدا می شود. عایق حرارتی: از عبور و انتقال انرژی حرارتی از یک محیط به محیط دیگر ...
به خواندن ادامه دهید
1 C3M0025065D Rev 1 12-2020 C3M0025065D Silicon Carbide Power MOSFET C3M TM MOSFET Technology N-Channel Enhancement Mode Features • 3rd Generation SiC …
به خواندن ادامه دهید
انواع عایق حرارتی در ساختمان، عایق کاری، عایق بندی، الیاف معدنی، پشم سنگ، پشم شیشه، پرلیت، عایق های حرارتی پلاستیک، تخته چوب پنبه فشرده، تخته های فیبری، شیشه اسفنجی، الیاف معدنی، عایق بندی حرارتی، با انواع عایق ...
به خواندن ادامه دهید
maximize the benefits of SiC (silicon carbide) modules. Cree's CAS100H12AM1 1.2kV, 100A 50mm half-bridge module and Cree's CCS050M12CM2 1.2kV, 50A six-pack module are used as examples. Introduction: Cree SiC MOSFET modules provide a unique combination of high voltage, high current and high switching speed.
به خواندن ادامه دهید
Abstract: This work compares four SiC power MOSFET models for SPICE provided by main device manufacturers: STMicroelectronics, CREE and ROHM. Model …
به خواندن ادامه دهید
اگر کار عایق تاسیسات درست انجام شود، بین ۳۵ تا ۵۰ درصد از هزینه های مصرفی به منظور تامین انرژی در یک صنعت یا ساختمان تا حد قابل توجهی کاهش پیدا می کنند. عایق کاری انواع مختلفی دارد ولی عموما ...
به خواندن ادامه دهید
The first power SiC MOSFET developed (Cree) SiC Schottky diodes were first reported in China 1987 1991 n In 1987, 6H-SiC single crystal was successfully grown, and SiC materials entered the world of power semiconductors n In 2001, Infineon/Cree released its first commercial SiC SBD product, and SiC devices entered the commercial stage 2001 …
به خواندن ادامه دهید
1 Introduction. Silicon carbide (SiC) power metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) are the centre of attention for medium-voltage wide bandgap (WBG) device development to displace silicon insulated gate bipolar transistors (IGBTs) in recent years because they can enable power converter designs of high frequency, high …
به خواندن ادامه دهید
عایق حرارتی نسوز سلولزی. عایق حرارتی نسوز سلولزی یا سلولی از موادی مانند کاغذ و چوب و سایر مواد سلولوزی و همچنین چسبهای قوی ساخته شده است.این محصول به میزان 85 درصد قابل بازیافت است و به میزان 15 درصد به دلیل موادی به نام ...
به خواندن ادامه دهید
عایق حرارتی ایزوهُم ساخته شده از الیاف نانو با تکنولوژی روز دنیا می باشد. از ویژگی های منحصر به فردعایق حرارتی ایزوهُم می توان به موارد زیر اشاره کرد: 1- عایق حرارتی با ضریب هدایتی بالا. 2- غیر ...
به خواندن ادامه دهید
• SiC MOSFETs Have Built-In Body Diode That Can Be Exploited In Applications Requiring Antiparallel Conduction • Third Quadrant IV Characteristics are …
به خواندن ادامه دهید