- +8618437960706
- دوشنبه تا شنبه: 10:00 - 16:00 / یکشنبه تعطیل است
ساختار ترانزیستور اثر میدان اکسید فلز تفاوت زیادی با jfet دارد. ترانزیستورهای نوع تخلیه و افزایشی mosfet از یک میدان الکتریکی که توسط ولتاژ گیت ایجاد شده برای تغییر جریان حامل های الکتریکی در طول کانال درین ــ سورس ( الکترون ...
به خواندن ادامه دهید
We would like to show you a description here but the site won't allow us.
به خواندن ادامه دهید
تشکیل یک لایه دی اکسید سیلیکون میزان حالت های الکترونیکی بی اثر را در سطح سیلیکون بسیار کاهش می دهد. فیلم های SiO2 ویژگی های الکتریکی اتصالات p -n را حفظ کرده و از خراب شدن این ویژگی های الکتریکی ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور اثر - میدانی پیوندی [ جی فت] ترانزیستور سه لایه ی تک قطبی که تنها بر مبنای حرکت بابر الکترون یا حفره - کار می کند در ترانزیستور به طور عادی وصل هر گاه ولتاژ درین ( drain) در جی فت کانال - N ...
به خواندن ادامه دهید
نیمرسانای فلز - عایق ساختار نیمرسانایی که در آن یک لایه عایق ، معمولاً با ضخامت کسری از میکرومتر ، پیش از ایجاد اتصالهای فلزی بر روی زیر ساخت نیمرسانا نشانده می شود این لایه می تواند ناحیه اثر میدانی در سطح ماده نیمرسانا ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور اثر میدانی اکسید فلز به عنوان ترانزیستور اثر میدان کنترل شده با ولتاژماسفت نیز شناخته می شود.
به خواندن ادامه دهید
انواع ترانزیستورهای فلز – اکسید-نیمه هادی: این ترانزیستورها، بسته به کانالی که در آنها شکل میگیرد، به دو نوع تقسیم می شود: ترانزیستور فلز-اکسید-نیمه هادی با کانال نوع n 1 و كانال نوع p 2. عملکرد ...
به خواندن ادامه دهید
ماسفت محبوب ترین نوع ترانزیستور است و برای عملکرد الکتریکی تراشه های مدار مجتمع (ic) ضروری است. آن ها برای جداسازی اتصال p-n روی یک تراشه به سری مراحل مشابه ترانزیستورهای دوقطبی نیاز ندارند.
به خواندن ادامه دهید
تقویت کننده JFET سورس مشترک. 1. تقویت کننده JFET سورس مشترک. مدار تقویت کننده از یک JFET کانال n تشکیل شده است، اما به جای آن می‌توان از یک MOSFET حالت تخلیه کانال n نیز استفاده کرد، زیرا شماتیک مدار، به ...
به خواندن ادامه دهید
در این مقاله به بررسی و شبیه سازی ترانزیستورهای اثر میدان فلز- اکسید- نیم رسانا سیلیکون روی عایق پرداخته می شود. در ابتدا مقدمه ای از تکنولوژی سیلیکون بیان می شود و به مشکلاتی که با روند کوچک سازی قطعات ایجاد می گردد ...
به خواندن ادامه دهید
-2 ساختار ترانزیستور اثرمیدان سیلیکونی-1-2 ساختار کلی. ماسفت یا ترانزیستورهای اثر میدان نیمه رسانا- اکسید- فلز معروفترین ترانزیستور اثرمیدان در مدارهای آنالوگ و دیجیتال است.
به خواندن ادامه دهید
اصطلاحات انگلیسی مشابه با واژه تخصصی metal - oxide silicon device و معنی فارسی آنها در لیست زیر ارائه شده اند. وسیله ریز آینه ای رقمی [ دی ام دی] وسیله ای نیمرسانا که از ماتریسی از حدود نیم میلیون آینه ی ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور اثر میدان نیمرسانا ی اکسید - فلزی ، ترانزیستور اثر میدان باکیت عایق شده ترانزیستور اثر میدان ولتاژ - رانشی با یک گیت فلزی عایق شده - اکسید یا جند بلوری عملکرد ترانزیستور تک قطبی بر اساس حرکت یک حامل اکثریت ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور[۱] مهم‌ترین قطعهٔ مداری در الکترونیک است و برای تقویت یا قطع‌ووصل سیگنال به کار می‌رود. ترانزیستور یکی از ادوات حالت جامد است که از مواد نیمه‌رسانایی مانند سیلیسیم و ژرمانیم ساخته می‌شود.
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور اثر میدانی [ فت] نوعی ترانزیستور تک قطبی و کنترل شونده با ولتاژ که تنها بر اساس حرکت یک نوع باربر کار می کند : الکترون یا حفره دارای سه الکترود به نامهای سورس ( source) ، درین(drain) ، و گیت (gate) است جریان فت در یک کانال ...
به خواندن ادامه دهید
سنتز نانو لوله‌های کربنی. روش‌های تخلیه الکتریکی، کند و سوز لیزری، گسست ناهمگن مونوکسیدکربن فشار بالا و انباشت شیمیایی بخار (CVD) برای تولید انبوه نانولوله‌های کربنی توسعه یافته‌اند. بیشتر ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور اثر میدان نیمرسانا ی اکسید - فلزی ، ترانزیستور اثر میدان باکیت عایق شده ترانزیستور اثر میدان ولتاژ - رانشی با یک گیت فلزی عایق شده - اکسید یا جند بلوری عملکرد ترانزیستور تک قطبی بر اساس حرکت یک حامل اکثریت ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور اثر میدان نیمرسانا ی اکسید - فلزی ، ترانزیستور اثر میدان باکیت عایق شده ترانزیستور اثر میدان ولتاژ - رانشی با یک گیت فلزی عایق شده - اکسید یا جند بلوری عملکرد ترانزیستور تک قطبی بر اساس حرکت یک حامل اکثریت ...
به خواندن ادامه دهید
لازم به ذکر است که هیچ یک از سیلیکون های نوع n یا p در واقع به خودی خود شارژ ندارند و هر دو از نظر الکتریکی خنثی هستند. ... ترانزیستور اثر میدان نیمه هادی اکسید فلز یا ماسفت (MOSFET) متداول ترین و ...
به خواندن ادامه دهید
igfet که با نام mosfet یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه رسانای اکسید-فلز یا به اختصار ترانزیستور ماسفت نیز شناخته می شود، نوع دیگری از ترانزیستور اثر میدانی (fet) است که ورودی یا گیت آنها از نظر الکتریکی نسبت به کانالی که جریان را ...
به خواندن ادامه دهید
MOSFET حالت تخلیه به روش مشابهی به همتایان ترانزیستور JFET ساخته شده است کانال منبع تخلیه ذاتا هدایت الکتریکی و سوراخ هایی است که در کانال n-type یا p-type وجود دارد.
به خواندن ادامه دهید
غیرفعال سازی [۱] (به انگلیسی: Passivation) در شیمی‌فیزیک به فرایند مقاوم شدن فلزات در مقابل خوردگی و زنگ زدگی گفته می‌شود. همچنین به ماده ای ارجاع می‌شود که ماده در آن در حال منفعل شدن است، یعنی در ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور اثر میدان فلز-نیمه هادی در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق با استفاده از یک تکه اکسید اضافی در کانال برای کاربردهای توان و فرکانس بالا. مجله مهندسی برق دانشگاه تبریز. ، دوره 46، شماره 4 ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور چیست؟. ترانزیستور ها از عناصر نیم هادی سیلیسیم یا ژرمانیوم تشکیل می شوند. منظور از نیم هادی یعنی در برخی شرایط رسانای جریان برق هستند و در برخی شرایط به صورت نارسانا عمل می کنند. در ...
به خواندن ادامه دهید
الکترونیک. تقویت کننده ماسفت (MOSFET) «ترانزیستور اثر میدان نیمه‌رسانای اکسید فلز» (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) یا ماسفت، یک گزینه عالی برای تقویت‌کننده‌های خطی سیگنال کوچک.
به خواندن ادامه دهید
در این آموزش تقویت کننده ماسفت را بررسی می‌کنیم. ترانزیستور اثر میدان نیمه هادی اکسید فلز یا به اختصار ماسفت (MOSFET)، یک انتخاب عالی برای تقویت کننده‌های خطی سیگنال کوچک است، زیرا امپدانس ...
به خواندن ادامه دهید
انواع ترانزیستور : ترانزیستور به عنوان یک قطعه نیمه هادی تعریف می شود که اساساً با سه پایانه برای تقویت یا سوئیچینگ سیگنال های الکترونیکی و اهداف برق ساخته شده است. به عنوان تقویت کننده، آن ها ...
به خواندن ادامه دهید
جستجو کن. این اصطلاح تخصصی مربوط به رشته مهندسی برق است. اصطلاحات انگلیسی مشابه با واژه تخصصی power semiconductor و معنی فارسی آنها در لیست زیر ارائه شده اند. تلفظ انگلیسی. فارسی. complementary metal - oxide semiconductor.
به خواندن ادامه دهید
در این مقاله، ما قصد داریم شما را با انواع ترانزیستور آشنا کنیم. ترانزیستور یک دستگاه نیمه هادی است که سیگنال ضعیفی را از مدار مقاومت کم به مدار مقاومت بالا منتقل می کند. این نام از ادغام دو واژه انتقال و مقاومت برای ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور سیلیسیم - نفوذی اپیتکسیال مزا ترانزیستور سیلیسیم ، دارای مقادیر مجاز ولتاژ و توان بالا همراه با زمان ذخیره و ولتاژ اشباع کم : selicon - diffused epitaxial mesa transistor
به خواندن ادامه دهید
در سال ۱۹۵۹، Dawon Kahng و مارتین M.Atalla در آزمایشگاه‌های بل، فلز اکسید نیمه هادی ترانزیستور اثر میدانی (MOSFET) به عنوان شاخه‌ای به طراحی FET اختراع شد. فهرست مطالب: مقدمه. ساختار ترانزیستور ماسفت
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور اثر میدان فلز-نیمه هادی در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق با استفاده از یک تکه اکسید اضافی در کانال ...
به خواندن ادامه دهید