- +8618437960706
- دوشنبه تا شنبه: 10:00 - 16:00 / یکشنبه تعطیل است
چهار نماد MOSFET در بالا یک ترمینال اضافی به نام Substrate را نشان می دهد و به طور معمول به عنوان یک ورودی یا یک اتصال خروجی استفاده نمی شود، بلکه به جای آن برای زمین بندی بستر استفاده می شود. آن را به کانال نیمه رسانای اصلی از ...
به خواندن ادامه دهید
رله الکترومکانیکی. واژه «رله» (Reley) عموماً به قطعه‌ای گفته می‌شود که در پاسخ به اعمال یک ولتاژ، اتصال الکتریکی بین دو یا چند نقطه را برقرار می‌کند. متداول‌ترین و پرکاربردترین نوع رله ...
به خواندن ادامه دهید
خلاصه بررسی ترانزیستور تک پیوندی. ترانزیستور تک پیوندی یا به‌اختصار UJT، یک نیمه‌هادی سه سر است که در پالس دریچه‌ای، مدارهای زمان‌بندی و برنامه‌های راه‌انداز ژنراتور برای تغییر و کنترل ...
به خواندن ادامه دهید
سرفصل‌های دوره آموزش رایگان الکترونیک دیجیتال. فصل اول: مقدمات و مفاهیم اولیه. 01:04 ساعت (01:04 ساعت محتوا) 1 جلسه. جلسه 1: مقدمات و مفاهیم اولیه. "64:02. فصل دوم: مواد نیمه هادی و دیودها. 03:05 ساعت (03:05 ...
به خواندن ادامه دهید
With an extended voltage range, from 650 to 2200 V, ST's silicon-carbide MOSFETs offer one of the most advanced technology platforms featuring excellent switching performance combined with very low on-state resistance per area. The main features of our SiC …
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستورهای mosfet; ... نیمه هادی. ... تمام تصمیمات در کافه ربات بر مبنای سه اصل اتخاذ می شود: جلب رضایت مشتری، وفاداری به مسئولیت‌های اجتماعی و رعایت اخلاق حرفه ای. کافه ربات اهداف بزرگی را دنبال ...
به خواندن ادامه دهید
در این حالت ناحیه N را کانال و نیمه هادی نوع P را دروازه یا گیت ( Gate ) می نامند. با اتصال دو سیم به دو طرف لایه N و یک سیم به لایه P یک عنصر سه پایه حاصل می شود که به ترانزیستور با اثر میدان پیوندی ...
به خواندن ادامه دهید
۱-مقدمه. از مهم‌ترین ادوات الکترونیکی که در آنها از نیمه‌هادی‌ها استفاده می‌شود و نانوفناوری به صورت گسترده در آنها استفاده شده است می‌توان به دیودها، دیودهای نورافشان(led) ، ترانزیستورها و سلول‌های خورشیدی اشاره ...
به خواندن ادامه دهید
ir2104. ir2104 یک درایور مدار تک فاز نیمه پل h است که برای کنترل مدارهای قدرتی dc-dc و همچنین مدارهای درایو موتورها و بارگذاری‌های نیمه‌هادی با استفاده از ترانزیستورهای نیمه‌هادی (mosfet) به کار می‌رود.
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور PNP نیز از دو ماده نیمه هادی نوع p تشکیل شده است و آنها توسط یک لایه نازک از نیمه هادی نوع n از هم جدا می شوند. متداول ترین پیکربندی ترانزیستور مورد استفاده ترانزیستور NPN است.
به خواندن ادامه دهید
Geneva, Switzerland, December 9, 2021 - STMicroelectronics (NYSE: STM), a global semiconductor leader serving customers across the spectrum of electronics applications, is introducing its third...
به خواندن ادامه دهید
نمودار I-V خصوصیات و طرح‌های خروجی از JFETنوع n. ترانزیستور پیوندی اثر میدان یا جِی‌فِت (به انگلیسی: junction gate field-effect transistor یا JUGFET یا JFET) به گونه‌ای از ترانزیستورهای اثر میدان گفته می‌شود که از یک ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور چیست؟ ترانزیستورها قطعات اکتیو سه‌سری هستند که از مواد نیمه‌هادی مختلف ساخته شده‌اند و می‌توانند در کاربردهای ولتاژ سیگنال کوچک به عنوان یک عایق یا یک رسانا عمل کنند. توانایی ترانزیستور در تغییر بین این ...
به خواندن ادامه دهید
Owing to the superior properties of silicon carbide (SiC), such as higher breakdown voltage, higher thermal conductivity, higher operating frequency, higher operating temperature, and higher saturation drift velocity, SiC has attracted much attention from researchers and the industry for decades. With the advances in material science …
به خواندن ادامه دهید
در آموزش‌های پیشین مجله فرادرس، با مواد رسانا و نارسانا آشنا شدیم. نیمه هادی ها موادی هستند که رسانایی آنها چیزی بین رسانایی هادی‌ها (اغلب فلزات) و غیرهادی‌ها یا عایق‌ها (مانند سرامیک‌ها) است.
به خواندن ادامه دهید
1# نیمه هادی چیست؟ (semiconductor) نیمه هادی در واقع یک ماده است که بیشتر از یک عایق (مانند شیشه) اما کم تر از یک هادی خالص (مانند مس یا آلومینیوم) برق را انتقال می دهد و. معمولا از سیلیکون تشکیل شده است ...
به خواندن ادامه دهید
یک ترانزیستور PNP. یک ترانزیستور NPN. ترانزیستور پیوندی دوقطبی یا بی‌جِی‌تی (به انگلیسی: BJT) نوعی ترانزیستور است که دارای سه‌پایه به نام‌های بِیس (B)، اِمیتر (E) و کُلِکتور (C) می‌باشد و چون در این ...
به خواندن ادامه دهید
ST offers an impressive range of Power MOSFETs for any voltage range in industrial and automotive applications, such as switch mode power supplies (SMPS), lighting, motor control, energy generation & electro mobility, chassis & safety, and body & convenience. …
به خواندن ادامه دهید
STMicroelectronics MOSFET are available at Mouser Electronics. Mouser offers inventory, pricing, & datasheets for STMicroelectronics MOSFET. Skip to Main Content +49 (0)89 520 462 110 ... SiC: Through Hole: HiP-247-3: N-Channel: 1 Channel: 650 V: 119 A: 24 …
به خواندن ادامه دهید
در نتیجه، ترانزیستور npn به عنوان یک افزاینده عمل می‌کند و برای تقویت و افزایش جریان استفاده می‌شود.در ترانزیستورهای بیپولار، جریان پایه به تزریق اغتشاش (اندازه‌گیری الکترون‌ها و حفره‌ها ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستورهای اثر میدان، خود به دو دستهٔ ترانزیستور پیوند اثر میدانی (JFET) و ترانزیستور اثر میدان نیمه‌هادیِ اکسید-فلز (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, MOSFET) که به اختصار به آن ماسفت گفته می‌شود ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستورهای اثر میدان، خود به دو دستهٔ ترانزیستور پیوند اثر میدانی (JFET) و ترانزیستور اثر میدان نیمه‌هادیِ اکسید-فلز (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, MOSFET) که به اختصار به آن ماسفت گفته می‌شود ...
به خواندن ادامه دهید
The resources in our development ecosystem to help engineers design with SiC MOSFETs; Speaker. Jeffrey Fedison is a Senior Applications Engineer at STMicroelectronics specializing in discrete power products including silicon carbide power transistors. He …
به خواندن ادامه دهید
یک TFT اکسیدی از یک ترانزیستور اثر میدان اکسید فلزی (MOSFET) متمایز است که در آن کلمه "اکسید" به دی الکتریک دروازه عایق (معمولا دی اکسید سیلیکون) اشاره دارد. در TFT اکسید، کلمه اکسید به نیمه هادی اشاره ...
به خواندن ادامه دهید
Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 A, 90 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 long leads package SCT10N120AG Automotive-grade Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 520 mOhm (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 package
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور چیست؟ انواع ترانزیستور: ترانزیستور به عنوان یک قطعه نیمه هادی تعریف می شود که اساساً با سه پایانه برای تقویت یا سوئیچینگ سیگنال های الکترونیکی و اهداف برق ساخته شده است.به عنوان تقویت کننده، آن ها در سطوح ...
به خواندن ادامه دهید
پرکاربرد ترین ترانزیستور اثر میدان با گیت ایزوله شده، ترانزیستور اکسیدفلز نیمه رسانای اثر میدان یا MOSFET می‌باشد . IGFET یا MOSFET توسط ولتاژ کنترل می‌شوند و بر خلاف ترانزیستورهای JFET دارای الکترود ...
به خواندن ادامه دهید
سیلیکون پلی‌کریستالی (یا سیلیکون نیمه کریستالی ، پلی‌سیلیکون ، poly-Si یا به طور ساده شده "poly") ماده‌ای است که از چندین کریستال سیلیکون کوچک تشکیل شده‌است. سلول‌های پلی‌کریستالی را می‌توان ...
به خواندن ادامه دهید
STMicroelectronics introduced its first SiC diodes in 2004, after several years of research and development on silicon carbide technology. SiC MOSFETs were introduced in 2009 and entered mass production in 2014. Today, ST's portfolio of medium- and high-voltage …
به خواندن ادامه دهید
فناوری سیلیکون روی عایق (soi) به استفاده از یک لایه سیلیکون-عایق بر روی سیلیکون به جای استفاده از لایه سیلیکون معمولی در تولید نیمه هادی‌ها، علی‌الخصوص در میکرو الکترونیک برای کاهش ظرفیت پارازیت دستگاه منسوب می‌کند ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور یک وسیله نیمه هادی است که معمولاً در تقویت کننده ها یا کلیدهای کنترل الکترونیکی استفاده می شود. این قطعه اساسی، همانند بلوک ساختمان است که عملکرد رایانه ها، تلفن های همراه و سایر ...
به خواندن ادامه دهید
استفاده از رادیوگرافی پروجکشنال ، با یک ژنراتور اشعه ایکس و یک آشکارساز تصویربرداری.. آشکارسازهای اشعه ایکس دستگاه‌هایی هستند که برای اندازه گیری شار، توزیع فضایی، طیف و/یا سایر خواص اشعه ایکس استفاده می‌شوند.
به خواندن ادامه دهید
نیم‌رسانا یا نیمه‌رسانا یا نیمه‌هادی (به انگلیسی: Semiconductor) عنصری است که رسانایی الکتریکی آن، چیزی بین رسانا (مانند مس) و عایق الکتریکی (مانند شیشه) باشد.
به خواندن ادامه دهید