- +8618437960706
- دوشنبه تا شنبه: 10:00 - 16:00 / یکشنبه تعطیل است
اکثر ترانزیستورها از سیلیکون (Si) ساخته شده‌اند، اما می‌توان آنها را از مواد دیگری مانند ژرمانیوم و آرسنید گالیم (GaAs) ساخت. سیلیکون، یک عنصر شیمیایی است که اغلب در ماسه یافت می‌شود، به طور معمول رسانای …
به خواندن ادامه دهید
سیلیکون دارای سه مزیت عمده نسبت به گالیم آرسنید در ساخت مدار مجتمع است. نخست، سیلیکون فراوان است و فرایند تبدیل به شکل مواد معدنیسیلیکات برای آن ارزان است. نانو تبدیل کرده‌است. به‌طور طبیعی ...
به خواندن ادامه دهید
مواد نسوز یا دیرگداز (به انگلیسی: refractory material) به کلیه موادی اطلاق می‌شود که در درجه حرارت بالا خواص فیزیکی، شیمیایی، مکانیکی و ترمومکانیکی آن تغییر نمی‌کند و بخصوص در مقابل فشار، سایش، شوک ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور اثر میدان نیمرسانا ی اکسید - فلزی ، ترانزیستور اثر میدان باکیت عایق شده ترانزیستور اثر میدان ولتاژ - رانشی با یک گیت فلزی عایق شده - اکسید یا جند بلوری عملکرد ترانزیستور تک قطبی بر اساس حرکت یک حامل اکثریت ...
به خواندن ادامه دهید
در سال ۱۹۵۹، Dawon Kahng و مارتین M.Atalla در آزمایشگاه‌های بل، فلز اکسید نیمه هادی ترانزیستور اثر میدانی (MOSFET) به عنوان شاخه‌ای به طراحی FET اختراع شد. فهرست مطالب: مقدمه. ساختار ترانزیستور ماسفت
به خواندن ادامه دهید
از نظر تکنولوژی، مهمترین فیلم نازک آریختی، احتمالاً توسط لایه‌های نازک SiO 2 به قطر چند نانومتر که به عنوان جداساز بر روی کانال هدایت از یک ترانزیستور اثر میدانی اکسید-فلز-نیمرسانا (ماسفت ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور چیست؟ ترانزیستور یک نیمه هادی مینیاتوری است که جریان یا ولتاژ را تنظیم و یا کنترل می کند و علاوه بر تقویت و تولید این سیگنال های الکتریکی، به عنوان یک کلید برای آنها عمل می کند.
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور ماسفت یا MOSFET (مخفف عبارت Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor، به معنای ترانزیستور اثر میدانیِ نیمه رسانای اکسید فلز) دستگاهی نیمه هادی است که به صورت گسترده برای اهداف سوئیچینگ و تقویت سیگنال های الکترونیکی در برد ...
به خواندن ادامه دهید
در این آموزش تقویت کننده ماسفت را بررسی میکنیم. ترانزیستور اثر میدان نیمه هادی اکسید فلز یا به اختصار ماسفت (MOSFET)، یک انتخاب عالی برای تقویت کننده‌های خطی سیگنال کوچک است، زیرا امپدانس ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور دارای سه لایه‌است که ساختار آن شامل یکی از حالت های زیراست: 1) یک لایه نیمه هادی نوعn بین دو لایه نوعp در پیکربندی مثبت – منفی – مثبت (PNP)،. 2) یک لایه نوعp بین دو لایه نوعn در ...
به خواندن ادامه دهید
ماس‌فِت یا ترانزیستور اثرِ میدانیِ نیمه‌رسانای اکسید-فلز (به انگلیسی: metal–oxide semiconductor field effect transistor ٫ MOSFET) معروف‌ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای الکترونیک آنالوگ و دیجیتال است. اصطلاح «اکسید-فلز» را نباید به ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور اثر میدانی حساس به یون - ISFET - که در سال 1970 توسط Bergveld اختراع شد - - Bergveld, P.,2003، یک افزاره حالت جامد میباشد که غشای شیمیایی حساس را با ترانزیستور اثر میدانی نیمهرسانا-اکسید -فلز - MOSFET ...
به خواندن ادامه دهید
دنیای اطلاعات: ترانزیستور یکی از مهمترین قطعات الکترونیکی و الکتریکی است که برای تقویت و قطع و وصل سیگنال‌های الکترونیکی و توان الکتریکی کاربرد دارد. ترانزیستور یکی از ادوات حالت جامد است که از مواد نیمه رسانایی مانند ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور اثر - میدانی پیوندی [ جی فت] ترانزیستور سه لایه ی تک قطبی که تنها بر مبنای حرکت بابر الکترون یا حفره - کار می کند در ترانزیستور به طور عادی وصل هر گاه ولتاژ درین ( drain) در جی فت کانال - N نسبت به سورس ( source) مثبت و یا ...
به خواندن ادامه دهید
اولین تکنیک‌ها برای ساخت ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله‌های کربنی (cnt) شامل طرح‌بندی نوارهای موازی فلز در سطح زیرلایه دی اکسید سیلیکون، و سپس رسوب cnt ها در بالا در یک الگوی تصادفی بود ...
به خواندن ادامه دهید
چکیده مقاله: در این ترانزیستورھای اثر میدان نانولوله کربنی، نوید بخش ترین قطعه نانو مقیاس برای پیاده سازی مدارات با کارکرد بالا، چگالی زیاد و توان مصرفی پایین می باشد. یک ترانزیستور اثر ...
به خواندن ادامه دهید
در دیتاشیت ترانزیستور، این ولتاژ به صورت ولتاژ اشباع CE و با نماد V CE(sat) تعریف می‌شود که همان ولتاژ لازم کلکتور-امیتر برای برای اشباع است. این مقدار معمولاً در حدود ۰٫۰۵ تا ۰٫۲ ولت است.
به خواندن ادامه دهید
انواع ترانزیستور. همان طور که قبلا ذکر شد، در مقیاس گسترده تر، خانواده های اصلی ترانزیستورها BJT و FET هستند. صرف نظر از خانواده ای که به آن تعلق دارند، همه ترانزیستورها آرایش مناسب / خاصی از مواد ...
به خواندن ادامه دهید
انواع ترانزیستور : ترانزیستور به عنوان یک قطعه نیمه هادی تعریف می شود که اساساً با سه پایانه برای تقویت یا سوئیچینگ سیگنال های الکترونیکی و اهداف برق ساخته شده است. به عنوان تقویت کننده، آن ها ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور[۱] مهمترین قطعهٔ مداری در الکترونیک است و برای تقویت یا قطع‌ووصل سیگنال به کار می‌رود. ترانزیستور یکی از ادوات حالت جامد است که از مواد نیمه‌رسانایی مانند سیلیسیم و ژرمانیم ساخته می‌شود.
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور اثر میدان نیمرسانا ی اکسید - فلزی ، ترانزیستور اثر میدان باکیت عایق شده ترانزیستور اثر میدان ولتاژ - رانشی با یک گیت فلزی عایق شده - اکسید یا جند بلوری عملکرد ترانزیستور تک قطبی بر اساس حرکت یک حامل اکثریت ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور اثر میدان (Field Effect Transistor) یا FET، از یک ولتاژ برای اعمال به ترمینال ورودی که گیت (Gate) نامیده می‌شود، استفاده میکند و جریان گذرنده از آن متناسب با این ولتاژ است. از آن‌جایی که ...
به خواندن ادامه دهید
در این مقاله به بررسی و شبیه سازی ترانزیستورهای اثر میدان فلز- اکسید- نیم رسانا سیلیکون روی عایق پرداخته می شود. در ابتدا مقدمه ای از تکنولوژی سیلیکون بیان می شود و به مشکلاتی که با روند کوچک سازی قطعات ایجاد می گردد، اشاره می شود.
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور از عنصر شیمیایی به نام سیلیکون تشکیل شده است. در این مقاله ما بررسی میکنیم که ترانزیستور ها چه هستند و چگونه کار میکنند. ترانزیستور چیست؟ ترانزیستور نوعی دستگاه نیمه هادی است که برای هدایت و عایق بندی جریان …
به خواندن ادامه دهید
انواع چسب سیلیکون بر اساس ساختار چسب‌های سیلیکونی در دو نوع مختلف اسیدی و خنثی یا طبیعی عرضه می‌شوند. مواد اولیه استفاده شده در هر یک از انواع چسب‌های آکواریوم با یکدیگر متفاوت است.
به خواندن ادامه دهید
ساختار ترانزیستور اثر میدان اکسید فلز تفاوت زیادی با jfet دارد. ترانزیستورهای نوع تخلیه و افزایشی mosfet از یک میدان الکتریکی که توسط ولتاژ گیت ایجاد شده برای تغییر جریان حامل های الکتریکی در طول کانال درین ــ سورس ( الکترون ...
به خواندن ادامه دهید
ب – محدوده سختی از 0000 shore A تا 70 shore D محدوده سختی 10 تا 80 آزمون دورومتر shore A که با لاستیک سیلیکون پیشنهاد شد، به طراح این آزادی را می‌دهد که سختی مورد نظر را برای انجام بهتر عملکردی خاص انتخاب کند.
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستورهای اثر میدان پیوندی که به اختصار JFET (Junction Field Effect Transistor) نامیده می‌شوند، یک المان نیمه‌رسانای تک قطبی است که دارای سه پایه بوده و با ولتاژ کنترل می‌شود. این نوع ترانزیستورها به ۲ گروه کانال N و کانال P تقسیم ...
به خواندن ادامه دهید
مقایسه BJT با FET. کدام ترانزیستور را باید انتخاب کنید؟. کاربرد ترانزیستور ها. کاربرد ترانزیستور به عنوان سوییچ. کاربرد ترانزیستور به عنوان آمپلی فایر. ترانزیستور را می توان نیمه‌هادی تعریف کرد ...
به خواندن ادامه دهید
igfet که با نام mosfet یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه رسانای اکسید-فلز یا به اختصار ترانزیستور ماسفت نیز شناخته می شود، نوع دیگری از ترانزیستور اثر میدانی (fet) است که ورودی یا گیت آنها از نظر الکتریکی نسبت به کانالی که جریان را ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور تخلیه ای ترانزیستور اثر - میدانی ( جی فت ) ، فت فلز - اکسید ( ماسفت ) ، با فت فلز نیمرسانا ( مسفت ) از نوع در حالت عادی وصل که اگر پتانسیل سورس و گیت آن یکسان و بایاس گیت آن صفر باشد ، هدایت می کند برای افزایش جریان ...
به خواندن ادامه دهید
افزاره مبتنی بر SOI با افزاره‌های معمولی ساخته شده از سیلیکون که در آن اتصال سیلیکون بر روی عایق الکتریکی است، متفاوت است؛ عمدتاً دی‌اکسید سیلیکون یا یاقوت کبود (این نوع از افزاره‌ها سیلیکون ...
به خواندن ادامه دهید
این اصطلاح تخصصی مربوط به رشته مهندسی برق است. اصطلاحات انگلیسی مشابه با واژه تخصصی metal - oxide silicon device و معنی فارسی آنها در لیست زیر ارائه شده اند. وسیله ریز آینه ای رقمی [ دی ام دی] وسیله ای ...
به خواندن ادامه دهید