- +8618437960706
- دوشنبه تا شنبه: 10:00 - 16:00 / یکشنبه تعطیل است
سرامیک (به انگلیسی: Ceramic) یک ماده جامد غیر فلزی غیر آلی است که از ترکیبات فلزی یا غیر فلزی تشکیل شده و با گرم شدن در دمای بالا شکل گرفته و سپس سخت شده‌است. به‌طور کلی، سرامیک‌ها موادی سخت ...
به خواندن ادامه دهید
Silicon (Si) and Silicon Carbide (SiC) are two kinds of materials used in power MOSFET devices, which have their own advantages of performance for each use. This paper makes a comparison of the on ...
به خواندن ادامه دهید
تجربه مدرنیته. تجربهٔ مدرنیته (هر آنچه سخت و استوار است دود می‌شود و به هوا می‌رود) (به انگلیسی: All That Is Solid Melts Into Air; Experience Of Modernity )، نام کتابی از مارشال برمن است که به بررسی تأثیرات اجتماعی ...
به خواندن ادامه دهید
ویسکرزهای SiC که تقریباً تک کریستال هستند، از روش های مختلفی تولید می شوند مثل گرمایش سبوس برنج، واکنش سیلان ها، واکنش سیلیکا و کربن و تصعید پودر SiC. در برخی از روش ها از یک جزء سوم مثل آهن ...
به خواندن ادامه دهید
مته نمونه بردار[ ویرایش] یک مته نمونه بردار (طبق شکل) برای بزرگ کردن سوراخی که از قبل ایجاد شده‌استفاده می‌شود. سوراخ ایجاد شده ممکنه در اثر سوراخ کاری یا منگنه کاری درون چدن باشد. اسم این مته ...
به خواندن ادامه دهید
2016 GE SiC MOSFETs: (R On @25o C / R On @150o C) 20m: /45m:, 1.7kV 75m: /145m:, 3.3kV COTSSiC . 900V/23A Si CoolMOSTM: Ea < 4J/cm2 GE12N20L SiC MOSFET: Ea >15J/cm2 >8X active area difference Tight distribution of E AV is an indication of excellent design-process robustness 1.2kV, 30A MOSFET Avalanche Ruggedness
به خواندن ادامه دهید
MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) have been meanwhile commonly accepted to be the concept of choice when aiming at reliable SiC …
به خواندن ادامه دهید
ساخت فوم نانو کامپوزیت پلی‌یورتان سخت با استفاده از نانو ذرات SiC و بررسی خواص مکانیکی و جذب انرژی آن تحت بار دینامیکی: مدل سازی در مهندسی: مقاله 1، دوره 16، شماره 53، تیر 1397 ، صفحه 1-7 اصل مقاله (824.35 K)
به خواندن ادامه دهید
مواد آلي هم با مواد غير آلي (ذرات سنگ، مواد معدني و آب) مخلوط مي شوند تا خاك تشكيل شود. موادی که خاک‌ها را تشکیل می‌دهند به چهار قسمت تقسیم می‌شوند: ♦ مواد سخت موجود در خاک: مواد سخت خاک را ...
به خواندن ادامه دهید
از پیچ‌های دریل‌کننده با سطح مقطع کوچک برای مواد سخت استفاده می‌شود. پیچ‌ها باید با حداقل فاصله مرکزی ۰٫۵ اینچ از یکدیگر نصب شوند. اتصالات چوب به فولاد: معمولاً از پیچ شماره ۸ دریل کنند به ...
به خواندن ادامه دهید
Figure 3 Gate-source threshold voltage range of SiC MOSFET The minimum gate-source threshold voltage V gs(th) of other SiC MOSFET devices can be lower than 2 V at 25°C in some cases. Therefore, minor ground bouncing can lead to an uncontrolled turn-on of the MOSFET when using an off-state voltage of zero Volts.
به خواندن ادامه دهید
Wolfspeed Silicon Carbide MOSFET gate drivers enable high-efficiency power delivery across applications, such as EV Fast Charging, Renewable Energy, and …
به خواندن ادامه دهید
در زمینه‌های صنعتی مانند دستگاه بالابر، رباتیک، متر و غیره از مواد فرومغناطیس سخت استفاده می‌شود. در زمینه نجوم و هوا فضا مانند ساخت قطب نما خودکار و ابزار دقیق و غیره این مواد کاربرد دارند.
به خواندن ادامه دهید
ماسفت. ماسفت شامل پایانه‌های گیت (G)، درین (D)، سورس (S) و بدنه (B). بدنه (B) اغلب به سورس وصل می‌شود؛ بنابراین ماسفت در عمل، سه‌پایه دارد. لایهٔ اکسیدِ سیلیسیوم به رنگ روشن در زیر گیت دیده می‌شود ...
به خواندن ادامه دهید
The staking sequences of SiC polytypes: 4H-SiC, 6H-SiC, and 3C-SiC [16]. The development of SiC-based devices over the year [38]. The benchmarking plot on specific on-resistance and breakdown ...
به خواندن ادامه دهید
سخت کاری فلزات به روش کوئنچینگ به این صورت است که. مواد سخت شده، ابتدا در آب تا دمای 300 درجه تا 400 درجه سانتیگراد سرد می شوند و. سریعاً به محیط خنک کننده با شدت کمتر (به عنوان مثال هوا یا روغن ...
به خواندن ادامه دهید
PNP: در این حالت برعکس است ، پایه از نوع N و دو باقی مانده از نوع P خواهد بود که رفتار الکتریکی و نحوه استفاده آن را کاملاً تغییر می دهد. FET (ترانزیستور اثر میدان): ترانزیستور اثر میدانی و تفاوت بارز ...
به خواندن ادامه دهید
A novel 1.7kV, 500A low inductance half-bridge module has been developed for fast-switching SiC devices. The module has a maximum temperature rating of 175oC. There are 12 GE SiC MOSFET chips per ...
به خواندن ادامه دهید
فناوری نانو باعث به وجود آمدن و استفاده از ساختارهایی می‌شود که ویژگی‌های جدید و منحصر به فردی به خاطر اندازه کوچکشان دارند. فناوری نانو بر اساس توانایی ایجاد تغییرات در ابعاد اتمی کار می ...
به خواندن ادامه دهید
Initially, junction field effect transistor (JFET) structures seemed the ultimate solution for merging performance and reliability in a SiC transistor. However, with the now …
به خواندن ادامه دهید
مواد آنتی‌فرومغناطیسی: در این مواد، جهت‌گیری گشتاورهای مغناطیسی اتم‌ها یا یونهای مجاور هم به گونه‌ای است که یکدیگر را خنثی می‌کنند و مغناطش خالص ماده صفر می‌شود. هنگامی که این مواد در ...
به خواندن ادامه دهید
rated SiC MOSFETs. All results normalized to total MOSFET active area of Aact =7.2cm. 2. The results were taken at room temperature and at sea level. As an emerging technology, silicon carbide (SiC) power MOSFETs are showing great potential for higher temperature/power rating, higher efficiency, and reduction in size and weight, which
به خواندن ادامه دهید
الیاف شیشه (به انگلیسی: Glass fiber) مشهورترین تقویت‌کننده مورد استفاده در صنعت کامپوزیت می‌باشد و انواع مختلفی از آن به صورت تجاری وجود دارند ترکیبات شیمیایی این الیاف با هم متفاوت است و هر کدام برای کاربرد خاصی مناسب است.
به خواندن ادامه دهید
KAWASAKI--Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba") has developed silicon carbide (SiC) MOSFETs [1] with low on-resistance and significantly reduced switching loss—about 20% lower than in its second-generation SiC MOSFETs.. Power devices are essential components for managing and reducing power consumption …
به خواندن ادامه دهید
GE makes SiC chips called MOSFETs - metal-oxide semiconductor field effect transistors. They help manage power inside machines and can handle temperatures as high as 200 …
به خواندن ادامه دهید
•Highly reliable GE SiC MOSFET devices •Low R DS(ON) •Low stray inductance (6 nH) •SiC die qualified to +200 °C •Ultra-low switching losses over entire operating range GE Aviation MOSFET DC Characteristics @ T J = 25 ˚C (unless otherwise specified) Symbols Parameters Min. Typ. Max. Unit Test Conditions Notes I D Continuous Drain ...
به خواندن ادامه دهید
مواد، ابزارها و سیستم‌ها. موادی که در سطح نانو در این فناوری به کار می‌رود، را نانو مواد می‌گویند. مادهٔ نانو ساختار، به هر ماده‌ای که حداقل یکی از ابعاد آن در مقیاس نانومتری (زیر ۱۰۰ ...
به خواندن ادامه دهید
One key parameter in the development of the 4 th Generation SiC MOSFET was the further reduction of area-specific on-state resistance. As can be seen from …
به خواندن ادامه دهید
اصل کار ماسفت. اصلی ترین کار ماسفت این است که بتواند جریان ولتاژ و جریان بین پایانه‌های منبع و تخلیه را کنترل کند. تقریباً مانند یک سوئیچ کار می‌کند و عملکرد دستگاه بر اساس خازن MOS است. خازن MOS ...
به خواندن ادامه دهید
پلوتونیم. / pluːˈtoʊniəm / (ploo-TOH-nee-əm) دستگاه بلوری تک‌شیب. پلوتونیوم (به انگلیسی: Plutonium )، یک عنصر شیمیایی رادیواکتیو و فلزی است که نماد آن Pu و عدد اتمی آن ۹۴ می‌باشد. جرم اتمی این عنصر ۲۴۴٫۰۶ بوده ...
به خواندن ادامه دهید
