- +8618437960706
- دوشنبه تا شنبه: 10:00 - 16:00 / یکشنبه تعطیل است
استفاده از نانوسیم به عنوان میدان نیمه هادی فلزی ‐ اکسید ‐ کانال ترانزیستور اثر (mosfet) می تواند یک ساختار اطراف یک دروازه را قادر سازد که یک کنترل دروازه الکترواستاتیک عالی را بر روی کانال ...
به خواندن ادامه دهید
موارد کاربرد ترانزیستور اثر میدان: استفاده از فت در ساختمان منابع جریان: اگر یک فت مطابق شکل زیر تغذیه شود ،در صورتی که اگر یک fetمطابق شکل ۳-۴۵ تغذیه شود.
به خواندن ادامه دهید
«ترانزیستور دو قطبی با گِیت عایق شده» (Insulated Gate Bipolar Transistor) یا به اختصار IGBT ، قطعه‌ای نیمه‌رسانا است که عملکردی بین ترانزیستور پیوندی دو قطبی (BJT) و ترانزیستور اثر میدان (MOSFET) دارد. ترانزیستور IGBT بهترین بخش‌های دو ...
به خواندن ادامه دهید
ماسفت قدرت. دو قطعه ماسفت قدرت (SMD). هر یک از این المان‌ها می‌تواند در حالت مدار باز تا ولتاژ 120 ولت و در حالت اتصال کوتاه تا جریان 30 آمپر را از خود عبور دهد. ماسفت قدرت (به انگلیسی: power MOSFET) یا VMOSFET ...
به خواندن ادامه دهید
نکته : ترانزیستور های power mosfet یا ترانزیستور های قدرتmosfet در انواع (emosfet) به صورت متداول فقط لایه نازکی از کانال به صورت افقی قرار دارد. این لایه مقاومت بالایی را بین درین و سورس ایجاد میکند.
به خواندن ادامه دهید
ماس‌فِت یا ترانزیستور اثرِ میدانیِ نیمه‌رسانای اکسید-فلز (به انگلیسی: metal–oxide semiconductor field effect transistor ٫ MOSFET) معروف‌ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای الکترونیک آنالوگ و دیجیتال است. اصطلاح «اکسید …
به خواندن ادامه دهید
کیفیت بالا دارای توان بهمن دارای رتبه بندی بهره‌مندی Mos Field Effect Transistor Transistor Management Systems از چین, پیشرو چین است سوئیچ mosfet منطقی تولید - محصول, با کنترل کیفیت دقیق درایور mosfet با استفاده از ترانزیستور کارخانه, تولید با کیفیت ...
به خواندن ادامه دهید
۱) تفاوت بین ترانزیستور و ترانزیستور برق چیست؟. ترانزیستور یک وسیله الکترونیکی سه یا چهار ترمینالی است که در هنگام اعمال جریان ورودی بر روی یک جفت ترمینال ترانزیستور ، می توان تغییر در جریان ...
به خواندن ادامه دهید
Mosfet چیست؟. ۲۶ مهر ۱۳۹۷ مقالات پاورز. ماسفت یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانا-اکسید-فلزمی باشد. Mosfet مخف (metal–oxide–semiconductor field-effect transistor) ترانزیستور معروف‌ترین اثر میدان در مدارهای آنالوگ و ...
به خواندن ادامه دهید
dip ترانزیستور های اثر میدانی mosfet در (برق _ الکترونیک) پژوهشگر و نویسنده: دکتر ( افشین رشید) نکته : ماسفت ها در ناحیه هدایت خود جریان را عبور می دهند که «کانال» ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور ماسفت یا MOSFET (مخفف عبارت Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor، به معنای ترانزیستور اثر میدانیِ نیمه رسانای اکسید فلز) دستگاهی نیمه هادی است که به صورت گسترده برای …
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور اثر میدانی(mosfet) برای تعویض یا تقویت سیگنال ها استفاده می شودmosfet همانند jfet عمل می کند اما دارای ترمینال g است که از کانال رسانا جدا شده است. برای تعویض یا تقویت سیگنال ها استفاده می شود.
به خواندن ادامه دهید
1# ترانزیستور چیست؟. ترانزیستورها یکی از اصلی ترین تراشه های اکترونیکی و قلب تپنده مدار های الکتریکی هستند. برای تقویت و تعویض یک سیگنال الکتریکی استفاده می شوند. جزء دسته بندی قطعات حالت جامد ...
به خواندن ادامه دهید
در این نوع ترانزیستور اثر میدانی، درین و منبع به شدت دوپ شده از ناحیه n+ و زیرلایه یا بدنه از نوع P هستند. جریان در این نوع ماسفت به دلیل الکترون‌هایی با بار منفی اتفاق می‌افتد.
به خواندن ادامه دهید
اسلاید 8: نحوه عملکرداین ترانزیستور بصورت یک المان با سه ترمینال Source, Drain, Gate مورد استفاده قرارمیگیرد.اگر ولتاژی به گیت وصل نشده باشد بین سورس و درین دو دیود وجود خواهند داشت: یکی بین n سورس و p ...
به خواندن ادامه دهید
برای تشخیص نام پایه های ترانزیستور NPN با استفاده از مولتی‌متر، مراحل زیر را طی کنید: مولتی‌متر را روی حالت دیود قرار دهید. سپس پراب مثبت (قرمز) مولتی‌متر را روی پین میانی ترانزیستور قرار دهید ...
به خواندن ادامه دهید
در ترانزیستورهای JFET(Junction Field Effect Transistors( در اثر میدان، با اعمال یک ولتاژ به پایه گیتجریان عبوری از دو پایه سورس و درین کنترل می‌شود. ترانزیستور اثر میدانی بر دو قسم است: نوع n یا N-Type و نوع p یا P-Type.
به خواندن ادامه دهید
تقویت کننده MOSFET مثال 1. یک تقویت کننده MOSFET سورس مشترک با استفاده از eMOSFET کانال n که دارای پارامتر هدایت ۵۰mA/V ۲ و ولتاژ آستانه ۲/۰V است، ساخته می‌شود. اگر ولتاژ منبع تغذیه +۱۵V و مقاومت بار ۴۷۰Ω ...
به خواندن ادامه دهید
هم چنین در ولتاژ های بالاتر قابلیت عملکرد بهتر و تلفات وروردی پایین تری را خواهد داشت.. از نظرنوع عملکرد، igbt در حقیقت نوعی ترانزیستور اثر میدان (fet) است که با ترانزیستور دو قطبی ترکیب شده است.
به خواندن ادامه دهید
دانلود رایگان مقاله شبیه سازی ترانزیستور اثر میدانی کانال کوتاه دو-گیت بدون پیوند عنوان فارسی مقاله: مطالعه شبیه سازی در مورد ترانزیستورهای اثر میدانی کانال کوتاه دو-گیت بدون پیوند
به خواندن ادامه دهید
ﺗﺮاﻧﺰﻳﺴﺘﻮرﻫﺎی اﺛﺮ ﻣﻴﺪان(ترانزیستور خانواده FET و انواع آن) را در دو ﻧﻮع ﻣﺘﻔﺎوت:اﺳﺘﻔﺎده ازروش ﻧﻔﻮذی ﻳﻌﻨﯽ ﻧﻔﻮذ دادن ﮐﺮﻳﺴﺘﺎل واستفاده …
به خواندن ادامه دهید
379 کالا. ترانزیستورها یکی از مهمترین قطعات مورد استفاده در بردهای الکترونیکی بوده و در انواع مدارات از قبیل کلید های الکترونیکی، منابغ تغذیه، کلیدزنی و آمپلی فایرها مورد استفاده قرار ...
به خواندن ادامه دهید
1-4# N-channel یا P-channel. این نوع ترانزیستور ها، که مدل پرکاربردتری هم هستند، به عنوان سوئیچینگ، تقویت کننده و … استفاده میشوند. در N-channel ها پایه source باید به پایه منفی تغذیه وصل گردد.
به خواندن ادامه دهید
راهنمای طراحی درایور ماسفت های کانال P. ماسفت یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه هادی – اکسید – فلز به انگلیسی Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ) MOSFET ) معروف‌ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای ...
به خواندن ادامه دهید
کیفیت بالا درایو سطح منطق منطق سطح AlphaSGT HXY4266 Mos Field Effect Transistor 60v از چین, پیشرو چین است ترانزیستور جریان بالا تولید - محصول, با کنترل کیفیت دقیق درایور mosfet با استفاده از ترانزیستور کارخانه, تولید با کیفیت بالا درایور mosfet با ...
به خواندن ادامه دهید
ماسفت چیست و چگونه کار میکند ؟. یکی از متداول ترین انواع ترانزیستور FET گیت عایق بندی ایزوله که در بسیاری از مدارهای الکترونیکی مورد استفاده قرار میگیرد، ترانزیستور اثر میدانی نیمه هادی ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور ها pnp نسشبت به npn کمتر مورد استفاده قرار می گیرد. حامل های بار اکثریت در ترانزیستور های pnp حفره ها بوده و الکترون های موجود در حامل بار اقلیت از سوی امیتر به کلکتور در جریان هستند.
به خواندن ادامه دهید
در تعریف کلی باید گفت که ماسفت در واقع ترانزیستور اثر میدانی نیمه رسانای اکسید-فلز Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor است. می توان گفت ماسفت در مدارهای الکترونیک آنالوگ و دیجیتال، ترانزیستور اثر میدان است. این …
به خواندن ادامه دهید
ماسفت مد تخلیه یا کاهشی که نسبت به انواع مد افزایشی کمتر مورد استفاده قرار میگیرد، بدون اعمال ولتاژ بایاس گیت، «در حالت عادی بسته» (Normally ON) است (هدایت میکند). در یک ترانزیستور MOS کانال …
به خواندن ادامه دهید
درترانزیستور های اثر میدانی با نانولوله های کربنی با گیت پشتیبرای نمودار یک نمودار خطی است در حالی که با افزایش از صفر نمودار تبدیل به یک منحنی غیر خطی می شودمشخصه انتقالی مانند ترانزیستور ...
به خواندن ادامه دهید
دروازه های الکترونیکی. یک سیستم منطقی کامل عملکردی ممکن است از رله ها ، سوپاپ ها یا ترانزیستورها تشکیل شده باشد. ساده ترین خانواده گیت های منطقی از ترانزیستور پیوندی دوقطبی (RTL )استفاده شده ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستورهای اثر میدانی مثبت (pMOs) یا (پی _ موس) در بسیاری از مدارات الکترونیکی مورد استفاده قرار میگیرد. و مرسوم ترین نوع ترانزیستور است و قابل استفاده در هر دو مدار آنالوگ و دیجیتال است.
به خواندن ادامه دهید
ساختار ترانزیستور اثر میدان اکسید فلز تفاوت زیادی با jfet دارد. ترانزیستورهای نوع تخلیه و افزایشی mosfet از یک میدان الکتریکی که توسط ولتاژ گیت ایجاد شده برای تغییر جریان حامل های الکتریکی در طول کانال درین ــ سورس ( الکترون ...
به خواندن ادامه دهید