- +8618437960706
- دوشنبه تا شنبه: 10:00 - 16:00 / یکشنبه تعطیل است
SiC MOSFETs are coming into prominence in select power switching applications above ½ kV, especially in those that benefit from the high-speed capability of SiC MOSFETs. This …
به خواندن ادامه دهید
در ترانزیستورهای پیوند اثر میدانی (JFET)، با اعمال ولتاژ به پایه گِیت، میزان جریان میان دوپایه سورس و دِرِین کنترل می‌شود. ترانزیستور اثر میدانی به دو نوع تقسیم می‌شود: نوع n یا N-Type و نوع p یا P-Type.
به خواندن ادامه دهید
Wide gate-source voltage V GSS specification range. For our 3rd-generation SiC MOSFETs, the specification range of the gate-source voltage is -10 to 25 V, which is wider than that of other companies' products, allows a wider margin for the drive voltage and makes gate drive design easier. (Recommended drive voltage: V GS_on = 18 V, V …
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانای اکسید فلز یا ماسفت (MOSFET)، مقاومت گیت ورودی بسیار بزرگی دارد و جریان گذرنده از کانال بین سورس و درین با ولتاژ گیت کنترل می‌شود. به دلیل امپدانس ورودی …
به خواندن ادامه دهید
پاسخ به سوال : ترانزیستور چگونه کار می کند؟ جواب : طرز کار ترانزیستور به اینصورت است، چنانچه پیوند BE را بصورت مستقیم بایاس (Bias به معنی اعمال ولتاژ و تحریک است) کنیم بطوری که این پیوند PN روشن شود (برای اینکار کافی است که به ...
به خواندن ادامه دهید
sic-mosfet : siではのデバイスほどたりのオンがくなってしまうため、600vのではにigbt（ゲートバイポーラトランジスタ）がされてきました。 igbtはmosfetよりもオンをさくしていますが、でキャリアのによってターン・オフにテイル ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستورهای اثر میدان یا همان fet نیز برای سوئیچینگ و تقویت جریان استفاده می شوند. دربخش قبل دیدیم، در ترانزیستورهای دوقطبی برای کنترل جریان خروجی ( جریان کلکتور) باید جریان بیس را کنترل کرد.
به خواندن ادامه دهید
این ترانزیستور از نوع ترانزیستورهای اثر میدانی می باشد و برای تقویت سیگنال و سوییچینگ استفاده می شود. ترانزیستور mosfet در دو حالت تخلیه و بهبود موجود می باشند و هر کدام کارکردهای مخصوص به خود ...
به خواندن ادامه دهید
We have been developing second-generation planar metal-oxide-semiconductor field effect transistors (MOSFETs) using our newly constructed 6-inch SiC wafer line. For these …
به خواندن ادامه دهید
CoolSiC™ MOSFET: a revolution for power conversion systems 6 01-2020 Figure 5 Summary of the advantages of SiC MOSFETs vs. IGBTs: left dynamic …
به خواندن ادامه دهید
KAWASAKI--Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba") has developed silicon carbide (SiC) MOSFETs [1] with low on-resistance and significantly reduced switching loss—about 20% lower than in its second-generation SiC MOSFETs.. Power devices are essential components for managing and reducing power consumption …
به خواندن ادامه دهید
در این آموزش، تقویت‌کننده ماسفت (MOSFET) را بررسی می‌کنیم. «ترانزیستور اثر میدان نیمه‌رسانای اکسید فلز» (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) یا ماسفت، یک گزینه عالی برای تقویت‌کننده‌های خطی سیگنال ...
به خواندن ادامه دهید
یکی از انواع مهم ترانزیستورهای کاربردی در صنایع، ماسفت ها هستند. از ماسفت ها برای مقاصد و کاربردهای متنوعی در صنعت استفاده می شود و شناخت ساختار و انواع آن ها کمک شایانی در بکارگیری آن ها می کند.
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور پیوندی اثر میدان یا جِی‌فِت به گونه‌ای از ترانزیستورهای اثر میدان گفته می‌شود که از یک کانال عبور و یک گیت تشکیل شده‌اند. دو پایهٔ درین و سورس با اتصال اهمی به دو طرف کانال متصل هستند و پایهٔ گیت اتصال ...
به خواندن ادامه دهید
اصل کار ماسفت. اصلی ترین کار ماسفت این است که بتواند جریان ولتاژ و جریان بین پایانه‌های منبع و تخلیه را کنترل کند. تقریباً مانند یک سوئیچ کار می‌کند و عملکرد دستگاه بر اساس خازن MOS است. خازن MOS ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستورهای اثر میدان یا همان fet نیز برای سوئیچینگ و تقویت جریان استفاده می شوند. دربخش قبل دیدیم، در ترانزیستورهای دوقطبی برای کنترل جریان خروجی ( جریان کلکتور) باید جریان بیس را کنترل کرد.
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانای اکسید فلز یا ماسفت (MOSFET)، مقاومت گیت ورودی بسیار بزرگی دارد و جریان گذرنده از کانال بین سورس و درین با ولتاژ گیت کنترل می‌شود. به دلیل امپدانس ورودی و بهره ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستورهای اثر میدان دارای سه پایه ی سورس، درین و گیت هستند. ... ترانزیستور اثر میدانی(MOSFET) برای تعویض یا تقویت سیگنال ها استفاده می شودMOSFET همانند JFET عمل می کند اما دارای ترمینال G است که از ...
به خواندن ادامه دهید
همه آنها از قطعات الکترونیکی با عملکرد بهتری استفاده می کنند - ترانزیستورهای جلوه ای از میدان. بنابراین ، انتخاب صحیح ترانزیستورهای اثر میدانی یکی از دشوارترین مشکلاتی است که مهندسان سخت ...
به خواندن ادامه دهید
Infineon is the world's largest manufacturer of power semiconductor components, offering the most comprehensive portfolio of metal-oxide-silicon transistors. With the acquisition of International Rectifier (IRF) in 2015, Infineon has continued to strengthen and expand this portfolio to include all IRF MOSFET products, as well as power MOSFETS, placing us at …
به خواندن ادامه دهید
ماسفت هایی که در توان های بالا می توانند مورد استفاده قرار گیرند، ماسفت های قدرت Power MOSFET نامیده می شوند. این نوع از ماسفت ها در ولتاژهای پایین عملکرد خیلی خوبی دارند و همچنین سوئیچینگ آن ها با ...
به خواندن ادامه دهید
As an alternative to traditional silicon MOSFETs, silicon carbide MOSFETs offer the advantages of higher blocking voltage, lower on-state resistance, and higher thermal conductivity...
به خواندن ادامه دهید
（sic）mosfet,、、。（si）mosfet igbt,,。
به خواندن ادامه دهید
نمودار I-V خصوصیات و طرح‌های خروجی از JFETنوع n. ترانزیستور پیوندی اثر میدان یا جِی‌فِت (به انگلیسی: junction gate field-effect transistor یا JUGFET یا JFET) به گونه‌ای از ترانزیستورهای اثر میدان گفته می‌شود که از یک ...
به خواندن ادامه دهید
(4) T. Tanioka, et al.: High Performance 4H-SiC MOSFETs with Optimum Design of Active Cell and Re-Oxidation, PCIM Europe 2018, 879-884 (2018) (5) Peters, D., et al.: Investigation of threshold voltage stability of SiC MOSFETs, Proc. of 30th ISPSD, 40-43 (2018) Table 1 Comparison of SW characteristics in planar-gate MOS and MIT2-MOS
به خواندن ادامه دهید
اما در ترانزیستورهای اثر میدان برای کنترل جریان خروجی باید ولتاژ ورودی را کنترل کنید، از آنجا که ورودی جریان ناچیزی می کشد، استفاده از fet در مدارهای میکروپروسسوری بسیار بهتر است.
به خواندن ادامه دهید
Our range of products is available in discrete housing as well as modules in 650 V, 1200 V, 1700 V and 2000 V voltage classes. Our range of CoolSiC™ MOSFETs includes Silicon Carbide MOSFET discretes and Silicon Carbide MOSFET modules. The SiC MOSFET power modules come in 3-level, fourpack, half-bridge, sixpack, and booster configurations.
به خواندن ادامه دهید
استفاده می‌شود. در حالت قطع و اشباع نیز به عنوان سوئیچ و در ساخت مدارات الکتریکی و گیت‌های منطقی کاربرد دارند. در این مقاله از mskala می‌خواهیم شما را با ترانزیستور و انواع آن آشنا کنیم.
به خواندن ادامه دهید
نکته: چون JFET ها از یک ولتاژ برای اعمال به ترمینال (Gate) استفاده می‌کنند و جریان گذرنده از کانال متناسب با این ولتاژ ، کم و زیاد می شود و همچنین عملکرد FET مبتنی بر یک میدان الکتریکی حاصل از ولتاژ Gate است به آن ترانزیستور اثر ...
به خواندن ادامه دهید
در آموزش‌های پیشین مجله فرادرس، با ترانزیستور و نحوه عملکرد آن آشنا شدیم. در این آموزش مطالبی را درباره نام پایه های ترانزیستور و تشخیص آنها بیان می‌کنیم. فهرست مطالب این نوشته ترانزیستور پیوندی دو قطبی (bjt) تشخیص نام ...
به خواندن ادامه دهید