- +8618437960706
- دوشنبه تا شنبه: 10:00 - 16:00 / یکشنبه تعطیل است
autosar برای اتومبیل های تعریف شده مدرن و متصل. پلتفرم autosar برای رفع نیازهای رو به رشد aces معرفی شد. این مدل برای سیستم‌های سرگرمی، سیستم‌های adas، و دیگر کاربردهای محاسباتی پرتقاضا تعریف شده‌است.
به خواندن ادامه دهید
KAWASAKI--Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba") has developed silicon carbide (SiC) MOSFETs [1] with low on-resistance and significantly reduced switching loss—about 20% lower than in its second-generation SiC MOSFETs.. Power devices are essential components for managing and reducing power consumption …
به خواندن ادامه دهید
پیغام های خطا و اعلام های راهنمای دستگاه کپی توشیبا. پیغام های دستگاه کپی ممکن است به چند صورت نمایش داده شوند. گاهی دستگاه پیغامی را به کاربر نمایش میدهد که فقط برای اعلام وضعیت فعلی دستگاه ...
به خواندن ادامه دهید
Wide gate-source voltage V GSS specification range. For our 3rd-generation SiC MOSFETs, the specification range of the gate-source voltage is -10 to 25 V, which is wider than that of other companies' products, allows a wider margin for the drive voltage and makes gate drive design easier. (Recommended drive voltage: V GS_on = 18 V, V …
به خواندن ادامه دهید
در طی سالهای اخیر به دلیل ارزانی و مزایای این قطعه از آن استفاده زیادی شده است. IGBT (ترانزیستور دو قطبی با گیت عایق شده) یک نیمه هادی جدید و کاملاً صنعتی است که از ترکیب ۲ نوع ترانزیستور BJT و MOSFET ...
به خواندن ادامه دهید
Silicon carbide (SiC) metal-oxide-semiconductor field effect transistors (MOSFETs) are next-generation power switching devices for high power and high blocking voltage applications. However, degradation of the on-resistance of SiC MOSFETs caused by bipolar operation has been an issue for SiC MOSFETs [1,2]. Although several studies have
به خواندن ادامه دهید
KAWASAKI, Japan-- (BUSINESS WIRE)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation and Toshiba Corporation (collectively "Toshiba") have developed an SiC …
به خواندن ادامه دهید
A split-gate SiC trench MOSFET with a P-poly/SiC hetero-junction diode has been proposed for optimized reverse recovery characteristics and low switching loss [17]. Furthermore, SiC MOSFET with integrated n-/n-type poly-Si/SiC heterojunction freewheeling diode has been proposed, offering a lower V f, but at the cost of BV [18]. In this paper, a ...
به خواندن ادامه دهید
چگونگی پردازش فلز پالایش سنگ معدن از مواد معدنی پروژه ها hb engineers استخراج مس از سنگ معدن صفحه ...
به خواندن ادامه دهید
شیمی طرح‌نگاری نوری. یک سلول خورشیدی پراکنده شده از طلا و آلومینیوم که از ویفر سیلیکونی <100> نوع p. فوتولیتوگرافی فرآیندی است در حذف بخش های انتخابی از لایه های نازک مورد استفاده در میکروساخت ...
به خواندن ادامه دهید
یکی از منابع ویدیویی کامل برای یادگیری درس سیگنالها و سیستمها فیلم آموزش تجزیه و تحلیل سیگنال ها و سیستم ها است که در ۲۷ ساعت و ۶ دقیقه در قالب ۶ درس توسط فرادرس تهیه و تدوین شده است. در درس ...
به خواندن ادامه دهید
KAWASAKI, Japan-- (BUSINESS WIRE)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba") has launched new power devices, the "TWxxNxxxC series," its …
به خواندن ادامه دهید
از این رو، گرمای تولید شده با ترک خنک‌کننده یک طرف دیود، به طرف دیگر آن در یک جهت جریان می‌یابد. این دیود در ریزپردازنده برای کنترل گرمایی و در یخچال‌ها برای اثر خنک‌کنندگی به کار می‌رود.
به خواندن ادامه دهید
برای حل این مسأله از دو فرمولاسیون استفاده شده و اختلافات بین آن‌ها مورد بحث قرار گرفته است. قدرت میدان داخل کره در مقابل حل تحلیلی محاسبه و مقایسه میشود.
به خواندن ادامه دهید
اندازه بازار جهانی فلز سیلیسیم در سال ۲۰۱۹ معادل ۶٫۰۵ میلیارد دلار تخمین زده شده و انتظار می‌رود با نرخ رشد مرکب سالانه ۴٫۶٪ از سال ۲۰۲۰ تا ۲۰۲۷ گسترش یابد و به ۸٫۶۷ میلیارد دلار برسد.
به خواندن ادامه دهید
As an alternative to traditional silicon MOSFETs, silicon carbide MOSFETs offer the advantages of higher blocking voltage, lower on-state resistance, and higher thermal conductivity...
به خواندن ادامه دهید
صرف نظر از روتور استفاده شده قواعد کلی برای دوران یکی است. روتور نیز همانند استاتور از دو قسمت هسته و سیم پیچ تشکیل شده‌است که سیم پیچ‌های اطراف روتور می‌تواند از جنس مس یا آلومینیوم باشد.
به خواندن ادامه دهید
اسامی پایه ها هم از روی همان اسامی قبلی انتخاب شده g از mosfet و c,e از ترانزیستورهای bjt.در نتیجه با این ترکیب ساده شما المانی را استفاده میکنید دارای امپدانس بالای گیت و قابلیت تحمل ولتاژ بالا است ...
به خواندن ادامه دهید
الکترو وینینگ. استفاده از فناوری پالایش الکتریکی برای تبدیل سوخت اتمی به فلز. الکترو-وینینگ، که به آن استخراج الکتریکی نیز گفته میشود، عبارتست از عملیات رسوب الکتریکی فلزات از سنگ معدن آن ...
به خواندن ادامه دهید
چکیدهدر این مقاله از FG-MOSFET که در مجاورت گیت آن واکنش شیمیایی بین گاز و اکسید فلز رخ می دهد بعنوان سنسور گاز استفاده می شود. هرچه غلظت مولکولهای گاز در مجاورت گیت ترانزیستور ماسفت بیشتر باشند، الکترونهای بیشتری در سطح ...
به خواندن ادامه دهید
Simultaneously imposed challenges of high-voltage insulation, high dv/dt, high-switching frequency, fast protection, and thermal management associated with the adoption of 10 kV SiC MOSFET, often pose nearly insurmountable barriers to potential users, undoubtedly hindering their penetration in medium-voltage (MV) power …
به خواندن ادامه دهید
در آغازِ دههٔ ۷۰، بارِ دیگر نگاه‌ها به MOSFETها افتاد و برای ساختنِ مدارهای مجتمع به کار گرفته شدند. ۲:ای جی بی تی:ترانزیستور دو قطبی با درگاه عایق شده ،. (Insulated gate bipolar transistor) IGBT: جزو نیمه هادی قدرت ...
به خواندن ادامه دهید
مزایای سازه های lsf. کمبود منابع موردنیاز برای تامین مصالح ساختمانی و لزوم صرفه‌جویی در مصرف مصالح و استفاده بهینه از آن‌ها تمایل به استفاده از اعضای جدار نازک سرد نورد شده و انجام ساخت و ساز سریع را افزایش میدهد.
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور ماسفت یا MOSFET (مخفف عبارت Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor، به معنای ترانزیستور اثر میدانیِ نیمه رسانای اکسید فلز) دستگاهی نیمه هادی است که به صورت گسترده برای اهداف سوئیچینگ و تقویت سیگنال های الکترونیکی در برد ...
به خواندن ادامه دهید
Owing to the superior properties of silicon carbide (SiC), such as higher breakdown voltage, higher thermal conductivity, higher operating frequency, higher operating temperature, and higher saturation drift velocity, SiC has attracted much attention from researchers and the industry for decades. With the advances in material science …
به خواندن ادامه دهید
News: Microelectronics 5 September 2022. Toshiba launches third-generation SiC MOSFETs. Tokyo-based Toshiba Electronic Devices & Storage Corp (TDSC) - spun …
به خواندن ادامه دهید
سیستم عامل/سیستم‌های توزيع شده. تعریف سیستم توزیع شده: هر سیستمی که بر روی مجموعه‌ای از ماشین‌ها که دارای حافظه اشتراکی نیستند، اجرا شده و برای کاربران به گونه‌ای اجرا شود که گویا بر روی یک ...
به خواندن ادامه دهید
Toshiba has improved both conduction loss in its SBD-embedded SiC MOSFET, and achieved good diode conductivity, by deploying a check-pattern SBD …
به خواندن ادامه دهید
KAWASAKI, Japan— Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba") has launched new power devices, the "TWxxNxxxC series," its 3rd …
به خواندن ادامه دهید
ماسفت هایی که در توان های بالا می توانند مورد استفاده قرار گیرند، ماسفت های قدرت Power MOSFET نامیده می شوند. این نوع از ماسفت ها در ولتاژهای پایین عملکرد خیلی خوبی دارند و همچنین سوئیچینگ آن ها با ...
به خواندن ادامه دهید
از این فلز معمولا برای خطوط انتقال برق بین شهری یا کابل‌های برق قطور استفاده میشود. این فلز، در برابر خوردگی‌های احتمالی مقاومت خوبی دارد، در نتیجه عمر سیم‌ها یا محصولات تولید شده با این ...
به خواندن ادامه دهید
این روش اجازه می دهد تا به شما برای ایجاد هر دو محصول سفارشی ساخته شده برای نقاشی منحصر به فرد و قطعات استاندارد (به عنوان مثال، تولید چشمه های ساخته شده تحت فشار). فلز سرد و یا گرم پردازش می شود.
به خواندن ادامه دهید