- +8618437960706
- دوشنبه تا شنبه: 10:00 - 16:00 / یکشنبه تعطیل است
Silicon carbide (SiC) is an emerging material for applications in ultra-precision devices and space optics due to its low thermal expansion characteristics (3.8×10 −6 /℃) …
به خواندن ادامه دهید
مخلوط کردن این مواد با یکدیگر، امکان ساخت قالب‌های سخت با استحکام بالا را فراهم می‌کند. ماسه رویه «ماسه رویه» (Facing Sand)، ماسه‌ای است که برای ساخت بخش‌های قالب در مجاورت مدل استفاده می‌شود.
به خواندن ادامه دهید
Silicon carbide (SiC) is a wide-bandgap semiconductor material (the bandgap width is lying in between 2.36 to 3.3 eV depending on crystal structure) which has found wide application in electronic ...
به خواندن ادامه دهید
کیت 3 سرنگ ژل اسید اچ نیک درمان مدل Etch One Eco ساخت ایران. ویژگی های اسید اچ Etch One Eco: اسید فسفریک 37٪ سیالیت مناسب توام با قوام کافی شستشوی آسان و کنتراست رنگی بالا...
به خواندن ادامه دهید
ویسکرزهای SiC که تقریباً تک کریستال هستند، از روش های مختلفی تولید می شوند مثل گرمایش سبوس برنج، واکنش سیلان ها، واکنش سیلیکا و کربن و تصعید پودر SiC. در برخی از روش ها از یک جزء سوم مثل آهن ...
به خواندن ادامه دهید
that removes material around the pn-junction. Due to the strong Si-C bonds, conventional chemical-wet etching solutions are inefficient on SiC, so plasma methods are required to etch SiC. The presented work is based on the use of an RIE reactor with an SF 6/O 2 plasma. Its geometry structure and parameters were optimized.
به خواندن ادامه دهید
مواد بی حسی; ابزار عمومی ... MORVA-ETCH. مروا-اچ جامبو (اکونومیک) ژل اسیدفسفریک ۳۷% ۵۰ml =64g. توضیحات ... دارای مجوز ساخت از اداره کل تجهیزات پزشکی – تاییدیه از پژهشکده مواد دندانی دانشگاه شهید بهشتی ...
به خواندن ادامه دهید
ابزار ارتودنسی 0 /59 ابزار پریو 0 /14 ابزار جراحی 0 /36 ابزار جراحی ایمپلنت 0 /31 ابزار جرمگیری 0 /6 ابزار لابراتوری 0 /19 ابزار و ظروف استیل 0 /37 الواتور 0 /19 رابردم 0 /14 ست ابزار ترمیمی 0 /7 فورسپس 0 /48 قلم ...
به خواندن ادامه دهید
ژل اسید اچ دنتکیست (Dentkist) مدل % 37 Charm Etch ساخت کشور کره جنوبی. ویژگی های ژل اسید اچ % 37 Charm Etch: اسید فسفریک 37٪ سیالیت مناسب توام با قوام کافی شستشوی آسان و کن...
به خواندن ادامه دهید
The technique of photo-electrochemical (PEC) etching of n-type SiC has been studied extensively. J. S. Shor conducted a series of experiments in the early 1990's to study the PEC etching of SiC [1]. Soon thereafter, the formation of porous SiC by PEC etching was reported [2]. Anodizing n-type 6H SiC in hydrofluoric acid (HF) under ultra-violet ...
به خواندن ادامه دهید
تمام دسته ها. تمام دسته ها; اطفال; اندودانتیکس; اینسترومنت; پیشنهاد شگفت انگیز; تاریخ انقضا نزدیک
به خواندن ادامه دهید
up to 23%, the etching rate of SiC gradually increases to 560 nm/min, a further increase in the percentage of O 2 leads to a sharp decrease in the etching rate of SiC up to 160 …
به خواندن ادامه دهید
وسایل و مواد مورد نیاز هنر شمع‌سازی. شمع‌ها جنبه تزئینی دارند و نمای خاصی به محیط خانه، رستوران‌ها وکافی شاپ‌ها می‌دهند. شمع‌سازی یکی از هنرهای مدرنی است که امروزه طرفداران زیادی پیدا ...
به خواندن ادامه دهید
up to 23%, the etching rate of SiC gradually increases to 560 nm/min, a further increase in the percentage of O 2 leads to a sharp decrease in the etching rate of SiC up to 160 nm/min at an oxygen content of 31%. The effect of the distance between the sample and the plasma generation zone on the etching rate of SiC was studied.
به خواندن ادامه دهید
هنرمندان با ابزار خاص قلمزنی با وارد کردن ضربات بر روی سطوح مختلف نقش گل و مرغ، اشعار زیبای فارسی، آیات و احادیث را حک می کنند. طرح ها و نقش های قلمکاری عبارتند از: کتیبه; زنجیره; مینیاتور
به خواندن ادامه دهید
Dry chemical etching technology can produce low damage etching surface and sidewalls, however, it has a relatively low etching rate. For example, the etching rate for 4H and 6H–SiC substrate in F 2 or Cl 2-based plasma is about 0.2 μm/min [25] and 1.3 μm/min [26], respectively. Hence, the etching rate needs to be further improved.
به خواندن ادامه دهید
ویژگی های اسید اچ P-Etch: اسید فسفریک 37٪ خاصیت اچینگ با عمق نفوذ 1/9 میکرومتر در 15 ثانیه جهت عدم ایج... ژل اسید اچ جامبو اریس تک (OrisTech) مدل P-Etch ساخت ایران.
به خواندن ادامه دهید
از کانال بیمارستان فوق تخصصی صارم ( قطب درمان نازایی کشور )
به خواندن ادامه دهید
SiC backside via hole etching process is crucial to form a contact with electrodes in the fabrication of GaN-on-SiC high-electron-mobility transistor (HEMT) and monolithic …
به خواندن ادامه دهید
خرید سیلیکون قالب گیری سیلیکون فوق شفاف مناسب ساخت کارهای پلی استر و قالب های سیلیکونی تمام سیلیکون ها همراه هاردنر ارائه می شود. کاربردهای سیلیکون قالب گیری 1-می‌توان جهت ساخت و تولید قالب ...
به خواندن ادامه دهید
معرفی ابزار اصلی برای ساخت طرح کوهستان. روش شبتاب کردن اپوکسی. روش ایجاد برف روی کوه. طراحی مه و ابرهای زمستانی در رزین اپوکسی. برشکاری و طراحی مدال به شکل دایره. اتصال بند به مدال. بهترین روش ...
به خواندن ادامه دهید
In general, SiC dry etching is conducted using fluorine radicals as a primary source, followed by additive gases such as O 2, Ar, N 2, and H 2 as a secondary …
به خواندن ادامه دهید
ژل اسید اچ ( Etch Gel ) دنتکس ( Dentex ) مدل DX Etch 37 ساخت چین. ویژگی های پانسمان DX Etch 37: اسید فسفریک 37٪ سیالیت مناسب توام با قوام کافی شستشوی آسان و کنتراست رن...
به خواندن ادامه دهید
خرید وسایل شمع سازی،ابزار شمع سازی،قیمت وسایل شمع سازی،ابزار شمع سازی،وسایل شمع سازی،ابزار شمع سازی از کجا بخرم،خرید اینترنتی وسایل شمع سازی،ابزار شمع سازی در هنری آنلاین ، لوازم شمع سازی را از کجا باید تهیه کرد
به خواندن ادامه دهید
3# تعریف ریخته گری. در تعریف به صنعت شکل دادن فلزات و آلیاژها به وسیله ذوب ، سپس ریختن مواد مذاب در محفظه ای به نام قالب و در نهایت سرد کردن و انجماد آن مطابق الگوی محفظه قالب، ریخته گری گفته می ...
به خواندن ادامه دهید
مشاهده شد که افزودن SiC به ترکیب باعث جلوگیری از رشد دانه های ZnO حین زینترینگ می گردد. ... بررسی اثر تغییرات زمان توقف ابزار در فرآیند جوشکاری اصطکاکی اغتشاشی نقطه ای(FSSW) بر ریزساختار آلیاژ Ti-6Al-4V ...
به خواندن ادامه دهید
مترجم و نویسنده: خانم سیمین حاتمی - عصر مواد معرفی کوتاه فولادهای ابزار فولادهاي ابـزار (Tool Steels) گروهی از فولادهای كربنی و آلياژی هستند كه از آن ها برای ساخت، ماشین کاری و شکل دادن سایر مواد مثل فلزات، پلاستیک ها، چوب و ...
به خواندن ادامه دهید
Due to its inert chemical nature, plasma etching is the most effective technique to pattern SiC. In this paper, dry etching of 4H-SiC substrate in Inductively Coupled Plasma (ICP) has been studied ...
به خواندن ادامه دهید
توضیحات. جعبه ابزار ساخت مواد غذایی : این مجموعه شامل 102 آیتم آماده لایه باز برای ساخت مواد غذایی در نرم افزار فتوشاپ می باشد. این مجموعه در قالب فایل های psd, png بر روی سایت بارگذاری شده است که به راحتی می توانید آن را در ...
به خواندن ادامه دهید
کیت 3 سرنگ ژل اسید اچ اریس تک (OrisTech) مدل P-Etch ساخت ایران. ویژگی های اسید اچ P-Etch: اسید فسفریک 37٪ خاصیت اچینگ با عمق نفوذ 1/9 میکرومتر در 15 ثانیه جهت... عضویت/ورود. دسته بندی ...
به خواندن ادامه دهید
Etching of SiC in electron cyclotron resonance (ECR)31, 37and inductively coupled plasma (ICP) [38]reactors has been reported by several groups, with fairly good etch rates and good anisotropy. The operating pressure (1–2 mTorr) of these tools is much lower than in RIE systems (10–300 mTorr), with much higher ion fluxes (≥10 11 cm −3 ...
به خواندن ادامه دهید
2. 6 SiC Patterned Etching Wet etching of SiC has proven to not be feasible from a practical point of view, as it requires molten salts (for example, NaOH-KOH at 350 C) to be used at high temperatures. The difficulty encountered in etching SiC is a result of the high bond strength, a property which makes SiC useful for high-temperature operation, but an …
به خواندن ادامه دهید
The plasma is based on the two gases SF 6 and O 2 with an oxygen ratio of 20%. In SiC plasma etching investigations, this ratio was often demonstrated as the …
به خواندن ادامه دهید